- Número de pieza Mfg: C3M0025065J1
C3M0025065J1: MOSFET de potencia de carburo de silicio Tecnología MOSFET C3M™ Modo de mejora de canal N
- Características
- Tecnología MOSFET SiC de 3ª generación
- Encapsulado optimizado con clavija de fuente de excitación independiente
- Alta tensión de bloqueo con baja resistencia a la conexión
- Conmutación de alta velocidad con bajas capacitancias
- Diodo intrínseco rápido con baja recuperación inversa (Qrr)
- Sin halógenos, conforme a RoHS
- Beneficios
- Reduce las pérdidas de conmutación y minimiza el timbre de puerta
- Mayor eficiencia del sistema
- Reducir las necesidades de refrigeración
- Aumentar la densidad de potencia
- Aumentar la frecuencia de conmutación del sistema
- Aplicaciones
- Fuentes de alimentación para centros de datos y telecomunicaciones
- Cargadores de baterías para VE
- Convertidores CC/CC de alta tensión
- Sistemas de almacenamiento de energía
- Inversores de conexión a red
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