Cumplir la promesa de ampliar la autonomía de los vehículos eléctricos con SiC en inversores de tracción

Cumplir la promesa de ampliar la autonomía de los vehículos eléctricos con SiC en inversores de tracción

12 de abril de 2022

Carga rápida de vehículos eléctricos

El futuro del transporte por carretera y de la tecnología de semiconductores se ve afectado por dos grandes cambios. Estamos adoptando un nuevo y emocionante medio para propulsar nuestros vehículos de forma limpia con energía eléctrica, al tiempo que rediseñamos los materiales semiconductores que sustentan los subsistemas de los vehículos eléctricos (VE) para maximizar la eficiencia energética y, a su vez, la autonomía de los VE.

Los organismos reguladores siguen exigiendo a los fabricantes de automóviles que reduzcan las emisiones totales de CO2 de sus flotas de vehículos, con estrictas sanciones en caso de incumplimiento, y la infraestructura de recarga de VE está empezando a proliferar en nuestras carreteras y zonas de aparcamiento. Sin embargo, a pesar de todos estos avances, la adopción de los vehículos eléctricos por parte del gran público sigue frenada por la persistente preocupación que suscitan las limitaciones de autonomía.

Para complicar aún más las cosas, el mayor tamaño de las baterías de los vehículos eléctricos, que podría ampliar su autonomía y neutralizar la ansiedad de los consumidores por la autonomía, amenaza con aumentar al mismo tiempo los precios de los vehículos eléctricos (la batería representa más del 25% del coste final del vehículo). Afortunadamente, la revolución paralela de los semiconductores ha dado lugar a nuevos dispositivos de banda ancha, como los conmutadores de potencia MOSFET de carburo de silicio (SiC), que pueden ayudar a reducir la distancia entre las expectativas de autonomía de los consumidores y la capacidad de los fabricantes para satisfacerlas con estructuras de costes competitivas.

Según Anuj Narain, director de la plataforma de potencia de Wolfspeed, uno de los líderes en dispositivos de potencia de SiC, "se espera que los MOSFET de SiC, por méritos propios, añadan entre un 5% y un 10% más de autonomía para un ciclo de conducción estándar de un VE en comparación con las tecnologías actuales basadas en silicio". Por ello, son una parte importante de la próxima generación de inversores de tracción en el tren motriz del VE. Si se explotan adecuadamente con componentes de apoyo, su aumento de eficiencia energética podría representar un enorme paso adelante en el fomento de la confianza de los consumidores en la autonomía de los VE y contribuir a acelerar su adopción.

Logotipo de Analog Devices

Relacionado Contenido

Apoyo al diseño de energía y potencia

Permítanos evaluar su proyecto y ayudarle a llevar su visión al mercado con mayor rapidez.

Acerca de nuestro equipo de expertos

Nuestro equipo de ingenieros de aplicaciones globales está a su disposición para responder a sus preguntas y garantizar que el diseño de su sistema de conversión de potencia o almacenamiento de energía cumpla sus expectativas de rendimiento. Si está pasando del silicio al nitruro de galio (GaN) o al carburo de silicio (SiC), le ayudaremos a identificar el dispositivo de conmutación adecuado para lograr la densidad de potencia y la mayor eficiencia que requiere su aplicación.