Diseño con dispositivos de potencia de carburo de silicio refrigerados por la parte superior (TSC)

Diseño con dispositivos de potencia de carburo de silicio refrigerados por la parte superior (TSC)

26 de septiembre de 2025

Carburo de silicio

Los diseñadores de sistemas de alto voltaje están recurriendo al carburo de silicio por su comportamiento intrínseco en cuanto a temperatura y rendimiento de conmutación en una lista cada vez mayor de aplicaciones de electrónica de potencia. Los ingenieros se enfrentan a menudo a requisitos de diseño de sistemas polifacéticos, incluida la necesidad de paquetes de múltiples fuentes capaces de soportar estrictas restricciones de densidad de potencia con posibilidades de diseño de disipación térmica limitadas.

Wolfspeed amplía ahora las opciones de diseño de sistemas con el lanzamiento comercial de un conocido encapsulado refrigerado por la parte superior para los mercados de automoción e industrial. Como sustituto directo de los MOSFET fabricados por otros proveedores, el encapsulado U2 ofrece flexibilidad de adquisición para los diseños establecidos, con una línea de fuga del encapsulado mejorada para admitir diseños de 650 V a 1200 V.

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Nuestro equipo de ingenieros de aplicaciones globales está a su disposición para responder a sus preguntas y garantizar que el diseño de su sistema de conversión de potencia o almacenamiento de energía cumpla sus expectativas de rendimiento. Si está pasando del silicio al nitruro de galio (GaN) o al carburo de silicio (SiC), le ayudaremos a identificar el dispositivo de conmutación adecuado para lograr la densidad de potencia y la mayor eficiencia que requiere su aplicación.