Los dispositivos de carburo de silicio (SiC) que facilitan las operaciones de alta tensión con bajas pérdidas de conmutación gracias al material de banda prohibida ancha (WBG) inician su acelerada evolución y adopción en aplicaciones de automoción, industriales, aeroespaciales y de defensa. Estos productos de SiC prometen mejorar la densidad de potencia y la eficiencia del sistema, con el consiguiente ahorro de tamaño, coste y peso del diseño.
El material semiconductor SiC puede evacuar el calor de la matriz con rapidez, lo que supone una gran ventaja para la electrónica de potencia, ya que permite pasar de la refrigeración activa a la pasiva. Los diseñadores de sistemas de potencia pueden sustituir los sistemas de refrigeración líquida porque la conductividad térmica del SiC es mucho mejor. Asimismo, la capacitancia es mucho menor, al igual que las pérdidas de conmutación.
Esto está impulsando la adopción de componentes de SiC en vehículos eléctricos (VE) y otras aplicaciones de conmutación de alta potencia para aumentar la densidad de potencia, maximizar la eficiencia del sistema y garantizar la estabilidad a altas temperaturas. Se espera que los VE pasen de sistemas de baterías de 400 V a 800 V en los próximos tres a cinco años....
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