DOWNERS GROVE, Illinois (8 de diciembre de 2025) – Richardson RFPD, Inc., una empresa de Arrow Electronics, ofrece ahora asistencia completa en el diseño y disponibilidad para dos nuevos transistores de potencia RF GaN de alto rendimiento de Guerrilla RF: el GRF0020 y el GRF0030. Estos HEMT GaN sobre SiC ofrecen una eficiencia y un ancho de banda excepcionales para aplicaciones RF exigentes.

Rendimiento inigualable para sistemas de RF

• GRF0020
  • Rango de frecuencia: CC a 7,0 GHz
  • Potencia de salida (P3dB): 30 W a 50 V; 19 W a 28 V
  • Ganancia saturada: 13,5 dB
  • Eficiencia de drenaje: 51 %
  • Potencia de salida saturada: 45,1 dBm
• GRF0030
  • Rango de frecuencia: CC a 6,0 GHz
  • Potencia de salida (P3dB): 50 W a 50 V; 25 W a 28 V
  • Ganancia saturada: 12,7 dB
  • Eficiencia de drenaje: 60 %
  • Potencia de salida saturada: 46,6 dBm

Ambos dispositivos funcionan con fuentes de alimentación de 50 V y admiten un funcionamiento de 28 V para mayor flexibilidad. Están alojados en paquetes de montaje superficial QFN-16 de 3 mm x 3 mm, estándar en la industria, y también están disponibles como chips sin encapsular: GRF0020D y GRF0030D.

Aplicaciones

• Infraestructura celular
• Sistemas de radar
• Comunicaciones inalámbricas
• Equipos de prueba y medición

¿Por qué GaN sobre SiC?

La tecnología GaN sobre SiC ofrece una densidad de potencia, un rendimiento térmico y una eficiencia superiores en comparación con las soluciones tradicionales LDMOS o GaAs, lo que hace que estos dispositivos sean ideales para los diseños de RF de próxima generación.

Más información

Para obtener hojas de datos, precios y realizar compras en línea, visite Richardson RFPD: GRF0020 y GRF0030. Para obtener más información sobre otros productos de Guerrilla RF, visite la página web de la tienda Guerrilla RF.

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