El CMPA901A035F de MACOM es un circuito integrado monolítico de microondas (MMIC) basado en un transistor de alta movilidad de electrones (HEMT) de nitruro de galio (GaN) sobre un sustrato de carburo de silicio (SiC). El semiconductor ofrece 35 vatios de potencia de 9 a 11 GHz de ancho de banda instantáneo. El MMIC HEMT de GaN se aloja en un encapsulado metálico/cerámico con bridas de 10 terminales de 25 mm x 9,9 mm, térmicamente mejorado. Ofrece una alta ganancia y una eficiencia superior en un encapsulado de tamaño reducido a 50 ohmios.
- Características
- Funcionamiento a 9,0 - 11,0 GHz
- Potencia de salida típica 40 W
- Ganancia de potencia típica 23 dB
- PAE tipo 35%
- Funcionamiento hasta 28 V
- Aplicaciones
- Radar militar
- Radar marino
- Radar meteorológico
- Aplicaciones médicas
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