Los amplificadores de potencia (PA) de RF están sometidos a una presión de rendimiento sin precedentes en una variedad cada vez mayor de aplicaciones. Se pide a la tecnología que admita objetivos de mayor ganancia sin añadir coste, tamaño, peso o complejidad. También se espera que ofrezcan la linealidad y eficiencia necesarias para adaptarse a esquemas de modulación de orden superior que son aún más sensibles a la distorsión que sus predecesores. El espacio en placa es un bien escaso, pero hasta ahora el camino hacia soluciones más compactas se enfrentaba a difíciles equilibrios en la relación pico/potencia media (PAPR).

Estos retos se están resolviendo con una nueva generación de circuitos integrados monolíticos de microondas (MMIC) de nitruro de galio (GaN) que se están adoptando cada vez más donde más se necesitan. Con una implementación adecuada, los diseñadores pueden maximizar el valor de estos dispositivos en aplicaciones que van desde las comunicaciones por satélite comerciales y de defensa basadas en el espacio y en tierra hasta los equipos de prueba.

Las expectativas sobre el uso de esta tecnología en las redes 5G son especialmente altas, sobre todo en la banda no utilizada de ondas milimétricas (mmWave) que los operadores están adoptando para las partes más congestionadas de su base de abonados.