El mercado mundial de semiconductores de potencia de RF está valorado actualmente en unos 1.500 millones de dólares1. Estos dispositivos proporcionan la amplificación de RF necesaria para una gran variedad de aplicaciones, desde resonancias magnéticas hasta transmisores de radiodifusión, sistemas de radar y estaciones base de telefonía móvil. Elegir la categoría de componentes adecuada es fundamental para desarrollar sistemas de amplificación que cumplan los requisitos de rendimiento, tamaño, coste y plazo de comercialización, y existen múltiples opciones a tener en cuenta. Este documento trata de las opciones de construcción de componentes disponibles para todas las tecnologías de amplificadores de potencia de RF, incluida la GaN, pero sin limitarse a ella.
Hay tres dispositivos semiconductores de potencia de RF ampliamente disponibles: los transistores discretos, los transistores de efecto de campo de impedancia adaptada (IMFET) y los circuitos integrados amplificadores MMIC. Cada dispositivo tiene una propuesta de valor única que se abordará en este artículo.
¿Cuánta integración necesita? Definición de transistores discretos, IMFET y amplificadores MMIC...
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Este documento trata de las opciones de construcción de componentes disponibles para todas las tecnologías de amplificadores de potencia de RF, incluida la GaN pero sin limitarse a ella.