Le marché mondial des semi-conducteurs de puissance RF est actuellement évalué à environ 1,5 milliard de dollars1. Ces dispositifs fournissent l'amplification RF pour une grande variété d'applications, de l'IRM aux émetteurs de radiodiffusion, en passant par les systèmes radar et les stations de base cellulaires. Le choix de la bonne catégorie de composants est essentiel pour développer des systèmes d'amplification qui répondent aux exigences de performance, de taille, de coût et de délai de mise sur le marché, et il existe de nombreuses options à prendre en compte. Ce document couvre les options de construction de composants disponibles pour toutes les technologies d'amplificateurs de puissance RF, y compris, mais sans s'y limiter, le GaN.

Il existe trois dispositifs semi-conducteurs de puissance RF largement disponibles : les transistors discrets, les transistors à effet de champ à adaptation d'impédance (IMFET) et les circuits intégrés d'amplification MMIC. Chaque dispositif présente une proposition de valeur unique qui sera abordée dans le présent document.

De quel degré d'intégration avez-vous besoin ? Définition des transistors discrets, des transistors à effet de champ et des amplificateurs MMIC...