Transistores de potencia RF

La cartera de productos de NXP de macro GaN de potencia de RF incluye transistores de RF de alta potencia diseñados para cabezas de radio remotas (RRH) en estaciones base celulares. Estos dispositivos están diseñados para unidades de radio de 40 W a 80 W destinadas a infraestructuras 4T4R y 8T8R.

El nuevo transistor de potencia de RF de banda ancha MMRF5018HSR5 de 125 W CW es para un funcionamiento optimizado en banda ancha hasta 2700 MHz e incluye adaptación de entrada para un rendimiento de ancho de banda ampliado. Con su alta ganancia y gran robustez, este dispositivo es ideal para aplicaciones de CW, pulsos y RF de banda ancha.

El circuito A3G26D055N-100 optimiza el dispositivo de la banda 100-2500MHz, con 12W CW y 11dB de ganancia utilizando la mitad del dispositivo. El circuito está disponible para pedidos y la información del circuito está disponible en NXP mediante licencia.

El A3G26D055N-100 es un diseño de referencia que se puede pedir para el A3G26D055NT4.

Este FET de potencia RF de 300 W y 50 V está diseñado para aplicaciones comerciales y militares de banda ancha a frecuencias de hasta 175 MHz.

• Ganancia: 14 dB (16 dB típ.)
• Eficacia: 50%.
• Baja resistencia térmica: 0,35°C/W
• Robustez probada

Este HEMT de GaN de 180 W, DC-2,0 GHz, 50 V, en un encapsulado de pastilla de 2 terminales ofrece una solución de banda ancha de uso general para una gran variedad de aplicaciones de RF y microondas.

• 24 dB de ganancia de señal pequeña a 900 MHz
• 20 dB de ganancia de potencia a 900 MHz
• Potencia de salida típica de 250 W a 900 MHz
• 75% de eficacia en el PSAT

Este MOSFET de silicio RF de puerta metálica de 5 W, 12,5 V y 1 GHz conforme a RoHS presenta un diseño de amplificador simplificado para comunicaciones VHF/UHF de banda ancha.

• Crss muy bajo
• Circuitos de polarización simples
• Bajo nivel de ruido
• Ganancia alta: 10 dB mínimo

Este transistor de potencia RF de canal n de 50 V, 300 W y 150 MHz está diseñado para aplicaciones comerciales y militares de banda ancha que requieren alta potencia y ganancia.

• Robustez mejorada V(BR)DSS = 170 V
• 22 dB de ganancia típica a 30 MHz
• Excelente estabilidad, baja IMD
• Configuración de fuentes comunes

Este transistor LDMOS de 1,8-600 MHz, 1250 W CW, 50 V y alta robustez está diseñado para aplicaciones industriales, de radiodifusión, aeroespaciales y móviles terrestres de alta VSWR.

• Entrada y salida inigualables
• Para un solo extremo o contrafase
• Caracterizado de 30 V a 50 V
• Adecuado para aplicaciones lineales