Wolfspeed
El uso de MOSFET de carburo de silicio (SiC) ha permitido suministrar energía de alta eficiencia para diversas aplicaciones, como la carga rápida de vehículos eléctricos, fuentes de alimentación, energías renovables e infraestructuras de red.
Son parte integrante de los sistemas de pruebas 5G y desempeñan un papel clave para garantizar la fiabilidad de las pruebas y la precisión de las mediciones.
Cuando no resulta práctico utilizar un módulo de potencia en el diseño, es habitual poner los MOSFET en paralelo.
Esta charla técnica ayuda a los ingenieros de diseño a comprender mejor cómo se comparan los Rds(on) de los MOSFET de SiC de Wolfspeed con otras tecnologías disponibles, como GaN, Silicio u otros dispositivos de SiC.
¿Qué le viene a la mente cuando piensa en una "central eléctrica portátil"? Una máquina voluminosa y pesada, ruidosa y con poca potencia. Una máquina que frustra a los clientes.
El objetivo de esta nota de aplicación es proporcionar a los usuarios de dispositivos Wolfspeed de banda prohibida ancha unas directrices sobre el rendimiento térmico de los transistores MESFET de SiC y HEMT de GaN de alta potencia. I
Los ingenieros de diseño pueden aprovechar las amplias ventajas del SiC con la sencilla implementación de un dispositivo de 4 terminales con encapsulado TO-247. Más información en esta charla técnica.
Los tubos de vacío utilizados en
transmisores de ondas milimétricas
creciente amenaza de los HEMT de GaN.
El sector de los vehículos eléctricos (VE) se ha esforzado por reducir los tiempos de recarga de los VE y, al mismo tiempo, mantener un hardware económico y compacto.
Este webinar es un relato real de lo que ocurre y de cómo se crea un amplificador utilizando las capacidades de simulación no lineal de NI AWR Design Environment y el modelo de señal grande del CGHV14800F.
