- Numéro de pièce Mfg : MSC025SMA120J
Ce MOSFET de puissance SiC ISOTOP® à canal N présente une robustesse supérieure aux avalanches, de faibles capacités et charges de grille et un fonctionnement stable jusqu'à 175⁰ C.
- Caractéristiques
- Faibles capacités et faible charge de grille
- Vitesse de commutation rapide grâce à une faible résistance de grille interne (ESR)
- Fonctionnement stable à une température de jonction élevée, TJ(max) = +175C
- Diode de corps rapide et fiable
- Robustesse supérieure en avalanche
- Conforme à la directive RoHS
- Tension isolée jusqu'à 2500V
- Avantages
- Un rendement élevé pour un système plus léger/compact
- Simplicité de conduite et facilité de parallélisme
- Amélioration des capacités thermiques et réduction des pertes de commutation
- Élimine la nécessité d'une diode de roue libre externe
- Réduction du coût de possession du système
- Applications
- Onduleurs et convertisseurs photovoltaïques et entraînements de moteurs industriels
- Réseau intelligent de transmission et de distribution
- Chauffage par induction et soudage
- Groupe motopropulseur H/EV et chargeur EV
- Alimentation et distribution d'électricité
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