- Mfg Part Number：MSC025SMA120J
这款 SiC ISOTOP® N 沟道功率 MOSFET 具有出色的雪崩坚固性、低电容和栅极电荷以及高达 175⁰ C 的稳定工作温度。
- 特点
- 低电容和低栅极电荷
- 栅极内阻 (ESR) 低，开关速度快
- 在高结温下稳定运行，TJ（最大）= +175C
- 快速可靠的体二极管
- 卓越的雪崩坚固性
- 符合 RoHS 规范
- 隔离电压至 2500V
- 益处
- 效率高，使系统更轻便/紧凑
- 驾驶简单，易于并行
- 散热能力更强，开关损耗更低
- 无需外部续流二极管
- 降低系统拥有成本
- 应用
- 光伏逆变器、变流器和工业电机驱动器
- 智能电网输配电
- 感应加热和焊接
- H/EV 动力系统和电动汽车充电器
- 供电和配电
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