Microchip - MSCSM120TAM11CT

Module d'alimentation SiC MOSFET triple phase
SiC en stock : Microchip 3 Phase Leg 1200V/251A SiC Module dans un boîtier à faible inductance parasite

SiC en stock : Microchip 3 Phase Leg 1200V/251A SiC Module dans un boîtier à faible inductance parasite

Le dispositif MSCSM120TAM11CTPAG est un module de puissance triphasé 1200 V/251 A en carbure de silicium (SiC).
  • MOSFET de puissance SiC
  • Faible RDS(on)
  • Performance à haute température
  • Diode Schottky SiC
  • Pas de récupération inversée
  • Récupération à terme nulle
  • Comportement de commutation indépendant de la température
  • Coefficient de température positif sur VF
  • Très faible inductance parasite
  • Thermistance interne pour le contrôle de la température
  • Substrat en nitrure d'aluminium (AlN) pour une meilleure performance thermique
  • Convertisseurs et onduleurs à haute puissance et à haut rendement
  • Performances exceptionnelles à haute fréquence
  • Montage direct sur le dissipateur thermique (boîtier isolé)
  • Faible résistance thermique entre la jonction et le boîtier
  • Bornes soudables pour l'alimentation et le signal, pour un montage facile sur PCB
  • Profil bas
  • Conforme à la directive RoHS
  • Alimentations sans interruption
  • Alimentations en mode commuté
  • Moteur de VE et entraînement de traction
  • Convertisseurs de soudage

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Notre équipe d'ingénieurs d'application internationaux est à votre disposition pour répondre à vos questions et s'assurer que la conception de votre système de conversion d'énergie ou de stockage d'énergie répond à vos attentes en matière de performances. Si vous passez du silicium au nitrure de gallium (GaN) ou au carbure de silicium (SiC), nous vous aiderons à identifier le dispositif de commutation adéquat pour obtenir la densité de puissance et l'efficacité accrue dont votre application a besoin.