Mikrochip - MSCSM120TAM11CT

SiC-MOSFET-Leistungsmodul mit dreifachem Phasenabschnitt
RFPD
SiC auf Lager: Microchip 3-Phasen-Bein 1200V/251A SiC-Modul im Gehäuse mit geringer Streuinduktivität

SiC auf Lager: Microchip 3-Phasen-Bein 1200V/251A SiC-Modul im Gehäuse mit geringer Streuinduktivität

  • Mfg-Teilnummer: MSCSM120TAM11CTPAG
Das MSCSM120TAM11CTPAG ist ein 3-phasiges Leistungsmodul mit 1200 V/251 A aus Siliziumkarbid (SiC).
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  • Eigenschaften
  • SiC-Leistungs-MOSFET
  • Niedriger RDS(ein)
  • Leistung bei hohen Temperaturen
  • SiC-Schottky-Diode
  • Null Rückforderung
  • Keine Rückforderung in der Zukunft
  • Temperaturunabhängiges Schaltverhalten
  • Positiver Temperaturkoeffizient bei VF
  • Sehr geringe Streuinduktivität
  • Interner Thermistor zur Temperaturüberwachung
  • Substrat aus Aluminiumnitrid (AlN) für verbesserte thermische Leistung
  • Anwendungen
  • Leistungsstarke und effiziente Wandler und Wechselrichter
  • Hervorragende Leistung bei Hochfrequenzbetrieb
  • Direktmontage auf Kühlkörper (isoliertes Gehäuse)
  • Niedriger Wärmewiderstand zwischen Übergang und Gehäuse
  • Lötbare Klemmen für Leistung und Signal, für einfache PCB-Montage
  • Niedriges Profil
  • RoHS-konform
  • Anwendungen
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
  • Switched-Mode-Netzteile
  • EV-Motor und Traktionsantrieb
  • Schweißtechnische Konverter
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Unser Team aus weltweit tätigen Anwendungsingenieuren steht für Ihre Fragen zur Verfügung, um sicherzustellen, dass Ihr Entwurf für ein Energieumwandlungs- oder Energiespeichersystem Ihre Leistungserwartungen erfüllt. Wenn Sie von Silizium auf Galliumnitrid (GaN) oder Siliziumkarbid (SiC) umsteigen, helfen wir Ihnen, das richtige Schaltgerät zu finden, um die Leistungsdichte und den höheren Wirkungsgrad zu erreichen, die Ihre Anwendung erfordert.
 
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