Solutions pour les antennes actives et les petites cellules 5G

NXP offre le plus large portefeuille de produits d'amplificateurs de puissance RF disponibles pour les infrastructures sans fil qui couvrent plusieurs niveaux d'intégration.
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Amplificateurs de puissance NXP

Amplificateurs de puissance NXP

NXP offre le plus large portefeuille de produits d'amplificateurs de puissance RF disponibles pour les infrastructures sans fil qui couvrent plusieurs niveaux d'intégration.

Transistors discrets, circuits intégrés à plusieurs étages et modules multi-puces (MCM), ainsi que l'utilisation de GaN et de LDMOS au silicium provenant des dernières fabriques de NXP à la pointe de la technologie.

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NXP Amplificateurs de puissance

Circuits intégrés LDMOS

Les circuits intégrés LDMOS de NXP offrent des performances et une intégration élevées pour accélérer votre développement. Ces modules multi-puces (MCM) sont construits sur des LDMOS de haute performance. Les circuits intégrés LDMOS simplifient la mise en œuvre de la conception car ils intègrent plusieurs étages de gain, une adaptation de 50 ohms pour l'entrée ou l'entrée/sortie, ainsi que des séparateurs et des combinateurs Doherty. Couvrant de 0,4 à 3,7 GHz avec une puissance moyenne de 4 à 10 W par dispositif, les circuits intégrés LDMOS sont idéaux pour les systèmes DAS/AAS, les petites cellules et les répéteurs.
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Modules PA

Les modules PA de NXP ont été développés pour permettre aux équipementiers de déployer rapidement des équipements 5G mMIMO. La première génération de modules PAM LDMOS comprenait une adaptation d'impédance de 50 ohms (E/S) et des séparateurs et combinateurs Doherty. Les versions ultérieures comprenaient des pilotes de grille intégrés (Smart LDMOS) et GaN. Les modules PA de NXP sont optimisés pour le mMIMO 5G Sub-6GHz, les petites cellules et les répéteurs de 2,3 à 4,2 GHz, avec des niveaux de puissance moyens de 2,5 à 9 W.

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Dispositifs discrets

Les amplificateurs MMIC et les modules multi-puces intégrés peuvent accélérer le temps de développement, mais tous les projets ne peuvent pas tirer parti de l'une de ces solutions. NXP propose une gamme complète de transistors RF discrets et de circuits de référence pour vous aider à mener à bien votre prochain projet à haute puissance. Qu'il s'agisse de mMIMO, de stations de base macro ou d'unités radio distantes, les transistors discrets de NXP peuvent vous permettre de commercialiser vos produits plus rapidement. Les transistors discrets de NXP sont proposés dans les technologies LDMOSFET et GaN on SiC HEMT, couvrant 0,4 - 4,2 GHz avec des niveaux de puissance allant de 2 W en moyenne à plus de 80 W en moyenne.
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NXP Caractéristiques du produit

Nouvelle famille de solutions MIMO massives discrètes GaN 5G de NXP
Avec ce lancement, la gamme de produits MIMO massifs discrets de NXP couvre désormais toutes les bandes de fréquences cellulaires de 2,3 à 4,0 GHz, en s'appuyant sur la dernière technologie GaN propriétaire de NXP.
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NXP Versatile 55 W GaN on SiC HEMT
Ce transistor de puissance RF Doherty symétrique de 8 W est conçu pour les applications de stations de base cellulaires nécessitant une très large bande passante instantanée.
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NXP Ressources 5G

Modules Rx

NXP

Les modules Rx de NXP sont des modules multi-puces intégrés conçus pour les applications TD-LTE et 5G mMIMO.

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Conception de référence RapidRF

NXP

Les cartes de référence RapidRF sont idéales pour les unités radio nécessitant une puissance d'émission moyenne de 2,5-8 W (34-39 dBm) au niveau de l'antenne.

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NXP Thin mMIMO

NXP

NXP a introduit une famille de modules MIMO massifs 5G utilisant sa nouvelle technologie innovante de refroidissement par le haut.

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Support RF et micro-ondes

Donnez-nous l'occasion d'évaluer votre projet et de vous aider à mettre votre vision sur le marché plus rapidement.

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À propos de notre équipe d'experts

Le RFPD de Richardson dispose d'une équipe de plus de 50 ressources techniques disponibles pour fournir une assistance à la conception sur une variété de sujets. Bien qu'ils soient trop nombreux pour être cités, nous avons mis l'accent sur des sujets spécifiques qui représentent notre soutien.
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