Ces conceptions évolutives offrent la dernière série de pré-conducteurs de NXP, des modules PA multi-puces de 50 ohms et des solutions Rx dans un petit facteur de forme.
Les conceptions de front-end RapidRF de NXP Semiconductors intègrent un amplificateur de puissance RF, des LNA Rx, un commutateur T/R, un circulateur et un contrôleur de polarisation dans une empreinte compacte. Ils intègrent un coupleur pour la rétroaction DPD et doivent être utilisés avec une pré-distorsion numérique.
Les cartes de référence RapidRF sont idéales pour les unités radio 5G nécessitant une puissance d'émission moyenne de 2,5W à 5,0W (34dBm à 37dBm) au niveau de l'antenne. Les versions pour différentes bandes utilisent une disposition de PCB commune, ce qui simplifie à la fois la conception et la fabrication pour une mise sur le marché plus rapide.
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NXP Conceptions de frontaux RF LDMOS 28 V
Numéro de pièce | Gamme de fréquences | Puissance de sortie moyenne | Disponibilité | RAPIDRF-36SL039 | 3400-3600 MHz | 39 dBm (8 W) à 8,5 dB OBO, à 29 V | Commander / En savoir plus |
|---|---|---|---|
RAPIDRF-35TL039 | 3400-3600 MHz | 38,5 dBm (7 W) à 9,0 dB OBO, à 26 V | Commander / En savoir plus |
RAPIDRF-26E39 | 2496-2690 MHz | 39 dBm (8 W) à 8 dB OBO, à 27 V | Commander / En savoir plus |
RAPIDRF-35D35 | 3400-3600 MHz | 34,8 dBm (3 W) à 8,4 dB OBO, à 24 V | Commander / En savoir plus |
NXP RapidRF Ressources 5G
Fiche d'information RapidRF
Fiche d'information RapidRF
Guide de l'utilisateur Rapid RF Smart LDMOS
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NXP Ressources 5G
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NXP offre le plus large portefeuille de produits d'amplificateurs de puissance RF disponibles pour les infrastructures sans fil qui couvrent plusieurs niveaux d'intégration.
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