NXP THIN mMIMO

Modules d'alimentation RF à refroidissement par le haut pour l'infrastructure 5G
Réduire la taille des radios 5G avec les nouveaux modules de refroidissement de la face supérieure de NXP pour l'alimentation RF

Réduire la taille des radios 5G avec les nouveaux modules de refroidissement de la face supérieure de NXP pour l'alimentation RF

NXP a lancé une famille de modules MIMO massifs 5G utilisant sa nouvelle technologie innovante de refroidissement par le haut. Les premiers produits sont conçus pour les radios 32T32R 200 W, couvrant les bandes de fréquences de 3,3 GHz à 3,8 GHz et tirant parti de la dernière technologie GaN propriétaire fabriquée dans la nouvelle usine de NXP à Chandler, AZ. Des systèmes plus petits, plus fins et plus légers permettront de réaliser d'importantes économies et de créer des stations de base plus respectueuses de l'environnement, tout en bénéficiant des avantages de la 5G en termes de performances.

NXP

NXP Thin mMIMO Résumé

Avantages

  • La nouvelle technologie de refroidissement par le haut pour RF Power permet d'obtenir des unités radio plus petites, plus minces et plus légères.
  • Faciliter et accélérer le déploiement des stations de base 5G
  • Simplifie la conception et la fabrication sans compromettre les performances
  • Caractéristiques

  • Module PA Doherty à 2 étages entièrement intégré
  • Réduction de 30 % de l'épaisseur et du poids de la radio
  • Séparation de la gestion thermique du chemin RF
  • Connecteurs moins nombreux et plus courts, pas de pièce dans le circuit imprimé
  • Retrait du blindage RF dédié
  • Trajet thermique simplifié et meilleures performances thermiques
  • Permet l'utilisation de circuits imprimés rentables et rationalisés circuits imprimés
  • Applications

  • Infrastructure de communication
  • Petites cellules extérieures
  • RAN ouvert et réseaux propriétaires
  • Pilote pour têtes radio télécommandées 5G macro de haute puissance
  • Systèmes d'antennes actives mMIMO 5G
  • NPX Thin mMIMO Détails du portefeuille

    Numéro de pièce
    Paquet (mm)
    Bande de fréquence
    Comité d'évaluation
    A5M34TG140-TCT1
    Module HLGA à 30 pattes 10×14 mm Module HLGA
    3300 - 3670 GHz
    A5M34TG140TC-EVB
    A5M35TG140-TCT1
    3400 - 3600 GHz
    A5M35TG140TC-EVB
    A5M36TG140-TCT1
    3400 - 3800 GHz
    A5M36TG140TC-EVB

    Refroidissement par le haut Carte d'évaluation

    Caractéristiques

  • Réduit l'épaisseur et le poids de la radio
  • Permet de réduire le nombre et la longueur des connecteurs
  • Supprime la nécessité d'un blindage RF par le haut
  • Séparation plus nette des chemins thermiques et RF
  • Résistance thermique plus faible
  • La technologie de refroidissement par le haut de NXP RF permet d'obtenir des radios MIMO massives 5G plus fines et plus légères, en supprimant le besoin d'un bouclier RF dédié et en séparant la gestion thermique de la conception RF. La première famille de dispositifs refroidis par le haut de NXP est conçue pour les radios mMIMO 64T64R (320 W) ou 32T32R (200 W) couvrant les fréquences de 3,3 GHz à 3,8 GHz. Ces modules combinent les technologies de semi-conducteurs LDMOS et GaN internes de NXP pour permettre un gain et une efficacité élevés avec des performances à large bande, offrant un gain de 31 dB et une efficacité de 46 % sur une bande passante instantanée de 400 MHz.

    Ces cartes d'évaluation multi-puces GaN de NXP sont conçues pour la série de modules MIMO minces dont la technologie de refroidissement par le haut permet de réduire l'épaisseur et le poids de la radio globale de plus de 30 %, tout en simplifiant le processus de conception et de fabrication.

    Carte d'évaluation pour le refroidissement par le haut Numéro de référence
    Fréquence (MHz)
    Puissance moyenne (dBm)
    Gain (dB)
    Efficacité (%)
    A5M34TG140TC-EVB
    3300-3670 MHz
    40.2
    31
    46
    A5M35TG140TC-EVB
    3400-3600 MHz
    40.2
    30
    47
    A5M36TG140TC-EVB
    3400-3800 MHz
    40.2
    31
    45

    NXP 5G Ressources

    NXP

    NXP offre le plus large portefeuille de produits d'amplificateurs de puissance RF disponibles pour les infrastructures sans fil qui couvrent plusieurs niveaux d'intégration.

    Avec ce lancement, la gamme de produits MIMO massifs discrets de NXP couvre désormais toutes les bandes de fréquences cellulaires de 2,3 à 4,0 GHz, en s'appuyant sur la dernière technologie GaN propriétaire de NXP.
    Ce transistor de puissance RF Doherty symétrique de 8 W est conçu pour les applications de stations de base cellulaires nécessitant une très large bande passante instantanée.

    Support RF et micro-ondes

    Donnez-nous l'occasion d'évaluer votre projet et de vous aider à mettre votre vision sur le marché plus rapidement.

    À propos de notre équipe d'experts

    Le RFPD de Richardson dispose d'une équipe de plus de 50 ressources techniques disponibles pour fournir une assistance à la conception sur une variété de sujets. Bien qu'ils soient trop nombreux pour être cités, nous avons mis l'accent sur des sujets spécifiques qui représentent notre soutien.