恩智浦推出一系列5G大规模MIMO模块，采用创新的新型顶部冷却封装技术。首批产品专为 32T32R 200 W 无线电设备设计，覆盖 3.3 GHz 至 3.8 GHz 频段，采用恩智浦位于亚利桑那州钱德勒的新工厂制造的最新 GaN 专有技术。更小、更薄、更轻的系统将大大节约成本，并使基站更加环保，同时实现 5G 的全部性能优势。
恩智浦薄型 mMIMO 摘要
益处
特点
应用
NPX 薄型 mMIMO 产品组合详情
部件编号 | 包装（毫米） | 频段 | 评估委员会 | A5M34TG140-TCT1 | 30 引线 10×14 毫米
HLGA 模块 | 3300 - 3670 千兆赫 | A5M34TG140TC-EVB |  |
|---|---|---|---|---|
A5M35TG140-TCT1 | 3400 - 3600 千兆赫 | A5M35TG140TC-EVB | ||
A5M36TG140-TCT1 | 3400 - 3800 千兆赫 | A5M36TG140TC-EVB |
恩智浦射频顶部冷却技术可实现更薄、更轻的 5G 大规模 MIMO 无线电，无需专用射频屏蔽罩，并将热管理与射频设计分离开来。恩智浦首款顶部冷却器件系列专为 64T64R (320 W) 或 32T32R (200 W) mMIMO 无线电而设计，频率覆盖 3.3 GHz 至 3.8 GHz。这些模块结合了恩智浦内部的 LDMOS 和 GaN 半导体技术，实现了高增益、高效率和宽带性能，在 400 MHz 瞬时带宽上提供 31 dB 增益和 46% 效率。
这些恩智浦 GaN 多芯片评估板专为薄型 MIMO 模块系列而设计，其顶部冷却技术有助于将整个无线电的厚度和重量减少 30% 以上，同时简化设计和制造流程。
顶部冷却评估板部件号 | 频率（兆赫） | 平均功率（dBm） | 增益（分贝） | 效率 (%) | A5M34TG140TC-EVB | 3300-3670 兆赫 | 40.2 | 31 | 46 |
|---|---|---|---|---|
A5M35TG140TC-EVB | 3400-3600 兆赫 | 40.2 | 30 | 47 |
A5M36TG140TC-EVB | 3400-3800 兆赫 | 40.2 | 31 | 45 |
恩智浦 5G 资源
通过此次发布，恩智浦的分立式大规模 MIMO 产品组合利用恩智浦最新的 GaN 专有技术，现已覆盖 2.3 至 4.0 GHz 的所有蜂窝频段。
