Le dispositif MSC035SMA170S est un MOSFET SiC de 35 mΩ, 1700 V, dans un boîtier TO-268 (D3PAK).

L'ATSAMR34J18 est un microcontrôleur à très faible consommation combiné à une interface de communication émetteur-récepteur UHF.

Dans ce Tech Chat, nous discutons de la tension de seuil d'un MOSFET SiC et de son importance pour la perte de commutation et l'immunité au bruit et aux pics de tension.

La carte d'extension ATWINC1500-XPRO vous permet d'évaluer le module contrôleur de réseau Wi-Fi 802.11 b/g/n à faible coût et à faible consommation d'énergie ATWINC1500.

Qu'est-ce qu'une avalanche et pourquoi se produit-elle ? Comment affecte-t-elle la fiabilité d'un dispositif ?

Le MMA042AA est un amplificateur distribué GaAs MMIC pHEMT qui fonctionne entre 2 GHz et 26 GHz.

Les MOSFET SiC de la prochaine génération offrent des performances dynamiques et thermiques supérieures à celles des MOSFET et IGBT Si classiques.

Le MMA053AA de Microchip est un circuit intégré hyperfréquence monolithique (MMIC) à arséniure de gallium (GaAs) à amplificateur de puissance distribué pHEMT qui fonctionne entre le courant continu et 8 GHz.

Les concepteurs sont enfin en mesure d'exploiter les avantages de la technologie SiC au niveau du système pour réduire la taille, le bruit et les défaillances des groupes auxiliaires de puissance (APU) dans les véhicules de transport.

Microchip Technology, en collaboration avec Clean Sky, membre du consortium de la Commission européenne, a mis au point une famille de modules de puissance à base de SiC pour les applications aérospatiales, afin de permettre une conversion de puissance et des systèmes d'entraînement de moteur plus efficaces et plus compacts.