Driver della porta di Tamura

Disponibile in tre confezioni
Driver per cancelli di Tamura

Driver per cancelli di Tamura

Ingresso di pilotaggio ad alta corrente per transistor ad alta potenza come IGBT o MOSFET SiC

I gate driver di Tamura supportano moduli di potenza fino a 1700 V e offrono prestazioni di elevato isolamento e bassa capacità di dispersione.

  • Doppia uscita
  • Bassa capacità di dispersione: 9pF per la serie 2DD e 12pF per la serie 2DMB
  • Varie protezioni di circuito: DESAT, Soft Turn Off, Clamp attivo (opzione), Clamp Miller (opzione)
  • Risposta ad alta velocità: 90ns (±5ns), che consente l'applicazione dell'azionamento parallelo
  • Ampia tensione di ingresso: da 13 a 28 Vc.c. con tensione di uscita costante
  • Profilo a bassa altezza: 1/2" per la serie 2DD
  • Inverter
  • Inverter fotovoltaico / eolico
  • Unità di controllo motore
  • Caricabatterie
  • Macchine per la saldatura
  • Alimentatori industriali
  • Tecnologie IGBT e SiC MOSFET

SERIE 2DD

La serie 2DD è un convertitore CC-CC dedicato al pilotaggio di vari moduli di potenza SiC e IGBT. La bassa capacità parassita (9pF) e la tensione di isolamento (5kV) rendono questo prodotto ideale per il pilotaggio di prodotti IGBT e SiC.

2DD151008C: Alimentazione CC/CC (+15V, -10V)
2DD151507C: Alimentazione DC/DC (+15V, -15V)
2DD180206C: Alimentazione DC/DC (+18V, -2V)
2DD180407C: Alimentazione DC/DC (+18V, -4V)

SERIE 2CG-B

Il gate driver di nuova generazione è caratterizzato da un'elevata tensione di isolamento (modulo da 1700 V) e da un basso profilo, oltre alla convenzionale bassa capacità di dispersione. È adatto anche per pilotare MOSFET SiC ad alta velocità di commutazione.

2CG010BBC11N: Modulo (+15V, -10V)
2CG010BBC12N: Modulo (+15V, -15V)
2CG010BBC13N: Modulo (+18V, -4V)
2CG010BBC14N: Modulo (+18V, -2V)

Unità di pilotaggio per gate IGBT e MOSFET SiC a doppio canale

I prodotti Gate Driver Unit sono gate driver completi e pronti all'uso, abbinati a uno specifico dispositivo di potenza. Il convertitore CC/CC isolato incorporato, il circuito di pilotaggio del gate e la tensione di rilevamento del cortocircuito sono già stati impostati.

Contattare Richardson RFPD per le soluzioni disponibili.

Supporto alla progettazione di energia e potenza

Dateci l'opportunità di valutare il vostro progetto e di aiutarvi a portare la vostra visione sul mercato più velocemente.

Il nostro team di esperti

Il nostro team di ingegneri applicativi globali è disponibile a rispondere alle vostre domande per garantire che il progetto del vostro sistema di conversione di potenza o di accumulo di energia soddisfi le vostre aspettative di prestazioni. Se state passando dal silicio al nitruro di gallio (GaN) o al carburo di silicio (SiC), vi aiuteremo a individuare il dispositivo di commutazione più adatto per ottenere la densità di potenza e l'aumento dell'efficienza richieste dalla vostra applicazione.