田村之门驱动程序

有三种包装可供选择

用于 IGBT 或 SiC MOSFET 等大功率晶体管的大电流驱动输入

Tamura 的栅极驱动器支持高达 1700V 的电源模块,具有高绝缘和低杂散容量的性能。

  • 双输出
  • 低杂散容量:2DD 系列为 9pF,2DMB 系列为 12pF
  • 各种电路保护:DESAT、软关断、主动钳位(选件)、米勒钳位(选件)
  • 高速响应:90ns (±5ns),允许并行驱动应用
  • 宽输入电压:13 至 28VDC,输出电压恒定
  • 高度低:1/2 英寸,用于 2DD 系列
  • 变频器
  • 光伏/风能逆变器
  • 电机控制单元
  • 电池充电器
  • 焊接机
  • 工业电源
  • IGBT 和 SiC MOSFET 技术

2DD 系列

2DD 系列是专用的 DC-DC 转换器,用于驱动各种 SiC 和 IGBT 功率模块。低寄生电容(9pF)和绝缘电压(5kV)使该产品成为驱动 IGBT 和 SiC 产品的理想之选。

2DD151008C:DC/DC 电源(+15V、-10V)
2DD151507C:直流/直流电源(+15V,-15V)
2DD180206C:直流/直流电源(+18V、-2V)
2DD180407C:直流/直流电源(+18V、-4V)

2CG-B 系列

新一代栅极驱动器除了具有传统的低杂散容量外,还具有绝缘电压高(支持 1700V 模块)和外形小巧的特点。它还适用于在高速开关时驱动 SiC MOSFET。

2CG010BBC11N:模块(+15V,-10V)
2CG010BBC12N:模块 (+15V, -15V)
2CG010BBC13N:模块(+18V,-4V)
2CG010BBC14N:模块(+18V,-2V)

双通道 IGBT 和 SiC MOSFET 栅极驱动器装置

栅极驱动器单元产品是与特定功率器件相匹配的即用型完整栅极驱动器。内置隔离式 DC/DC 转换器、栅极驱动电路和短路检测电压均已设定。

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能源与动力设计支持

让我们有机会对您的项目进行评估,帮助您更快地将愿景推向市场。

关于我们的专家团队

我们的全球应用工程师团队随时为您答疑解惑,确保您的功率转换或储能系统设计达到您的性能预期。如果您正在从硅过渡到氮化镓 (GaN) 或碳化硅 (SiC),我们将帮助您确定合适的开关器件,以实现您的应用所需的功率密度和更高的效率。