Tamura's Gate-Treiber

Erhältlich in drei Verpackungsoptionen

Torantriebe von Tamura

Hochstrom-Treibereingang für Hochleistungstransistoren wie IGBTs oder SiC MOSFETs

Die Gate-Treiber von Tamura unterstützen Leistungsmodule mit bis zu 1700 V und bieten eine hohe Isolationsleistung und geringe Streukapazität.

  • Doppelter Ausgang
  • Geringe Streukapazität: 9pF für Serie 2DD und 12pF für Serie 2DMB
  • Verschiedene Stromkreisschutzfunktionen: DESAT, Soft Turn Off, Aktive Klemme (Option), Miller-Klemme (Option)
  • Hohe Reaktionsgeschwindigkeit: 90 ns (±5 ns), ermöglicht die Anwendung von Parallelantrieb
  • Breite Eingangsspannung: 13 bis 28 VDC mit konstanter Ausgangsspannung
  • Niedriges Höhenprofil: 1/2" für die Serie 2DD
  • Wechselrichter
  • Photovoltaik / Windkraft Wechselrichter
  • Motorsteuergeräte
  • Batterieladegeräte
  • Schweissmaschinen
  • Industrielle Stromversorgungen
  • IGBT- und SiC-MOSFET-Technologien

2DD-BAUREIHE

Die Serie 2DD ist ein spezieller DC/DC-Wandler für die Ansteuerung verschiedener SiC- und IGBT-Leistungsmodule. Die geringe parasitäre Kapazität (9pF) und Isolationsspannung (5kV) machen dieses Produkt ideal für die Ansteuerung von IGBT- und SiC-Produkten.

2DD151008C: DC/DC-Stromversorgung (+15V, -10V)
2DD151507C: DC/DC-Stromversorgung (+15V, -15V)
2DD180206C: DC/DC-Stromversorgung (+18V, -2V)
2DD180407C: DC/DC-Stromversorgung (+18V, -4V)

2CG-B SERIE

Der Gate-Treiber der nächsten Generation zeichnet sich durch eine hohe Isolationsspannung (Unterstützung von 1700-V-Modulen) und ein niedriges Profil aus, zusätzlich zu der herkömmlichen geringen Streukapazität. Er ist auch für die Ansteuerung von SiC-MOSFETs bei hohen Schaltgeschwindigkeiten geeignet.

2CG010BBC11N: Modul (+15V, -10V)
2CG010BBC12N: Baustein (+15V, -15V)
2CG010BBC13N: Baustein (+18V, -4V)
2CG010BBC14N: Baustein (+18V, -2V)

Zweikanal-IGBT- und SiC-MOSFET-Gate-Treibereinheit

Gate Driver Unit-Produkte sind komplette, gebrauchsfertige Gate-Treiber, die auf ein bestimmtes Leistungsgerät abgestimmt sind. Eingebauter isolierter DC/DC-Wandler und Gate-Treiberschaltung sowie Kurzschluss-Erkennungsspannung sind bereits eingestellt.

Kontaktieren Sie Richardson RFPD für verfügbare Lösungen.

Unterstützung für Energie- und Leistungsdesign

Geben Sie uns die Möglichkeit, Ihr Projekt zu bewerten und Ihre Vision schneller auf den Markt zu bringen.

Über unser Expertenteam

Unser Team aus weltweit tätigen Anwendungsingenieuren steht für Ihre Fragen zur Verfügung, um sicherzustellen, dass Ihr Entwurf für ein Energieumwandlungs- oder Energiespeichersystem Ihre Leistungserwartungen erfüllt. Wenn Sie von Silizium auf Galliumnitrid (GaN) oder Siliziumkarbid (SiC) umsteigen, helfen wir Ihnen, das richtige Schaltgerät zu finden, um die Leistungsdichte und den höheren Wirkungsgrad zu erreichen, die Ihre Anwendung erfordert.