Microchip - MSC025SMA120J

Alta efficienza per un sistema più leggero e compatto.
RFPD
In magazzino: 1200V, 25 mOhm SOT-227 MOSFET in carburo di silicio

In magazzino: 1200V, 25 mOhm SOT-227 MOSFET in carburo di silicio

  • Numero di parte di Mfg: MSC025SMA120J
Questo MOSFET di potenza a canale N SiC ISOTOP® è caratterizzato da una resistenza superiore alle valanghe, da basse capacitanze e cariche di gate e da un funzionamento stabile fino a 175⁰ C.
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  • Caratteristiche
  • Basse capacità e bassa carica di gate
  • Velocità di commutazione rapida grazie alla bassa resistenza interna di gate (ESR)
  • Funzionamento stabile ad alta temperatura di giunzione, TJ(max) = +175C
  • Diodo corpo veloce e affidabile
  • Resistenza superiore alle valanghe
  • Conforme alla direttiva RoHS
  • Tensione isolata fino a 2500 V
  • Vantaggi
  • Alta efficienza per consentire un sistema più leggero e compatto
  • Semplice da guidare e facile da mettere in parallelo
  • Migliori capacità termiche e minori perdite di commutazione
  • Elimina la necessità di un diodo di freewheeling esterno
  • Riduzione dei costi di gestione del sistema
  • Applicazioni
  • Inverter fotovoltaici, convertitori e azionamenti per motori industriali
  • Trasmissione e distribuzione di reti intelligenti
  • Riscaldamento a induzione e saldatura
  • Propulsore H/EV e caricatore EV
  • Alimentazione e distribuzione di energia

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