Moduli di potenza SiC di Microchip

Per i sistemi elettrici degli aeromobili
Moduli di potenza SiC di Microchip

Moduli di potenza SiC di Microchip

Nella corsa alla riduzione delle emissioni nei sistemi aerospaziali, i progettisti si stanno orientando sempre più verso un'elettronica più efficiente nei sistemi di controllo, compresi quelli che sostituiscono la pneumatica e l'idraulica, dagli alternatori di bordo agli attuatori e alle unità di potenza ausiliarie.

Microchip Technology, in collaborazione con Clean Sky, membro del consorzio della Commissione Europea, ha sviluppato una famiglia di moduli di potenza basati su SiC per applicazioni aerospaziali, con l'obiettivo di rendere più efficienti e compatti i sistemi di conversione di potenza e di azionamento dei motori. I moduli, denominati BL1, BL2 e BL3, utilizzano una combinazione di MOSFET in carburo di silicio (SiC) da 1200 V e diodi da 1600 V su un substrato modificato progettato per le applicazioni aeronautiche più difficili.

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Numero di parte
Configurazione
Tensione (V)
Rds(on) (mΩ)
Corrente (A)
Tipo di silicio
Pacchetto
MSCSM120AM31CTBL1NG
Fase gamba
1200
25
79
MOSFET SiC
BL1
MSCSM120DAM31CTBL1NG
Chopper di sovralimentazione
1200
25
79
MOSFET SiC
BL1
MSCSM120SKM31CTBL1NG
Chopper Buck
1200
25
79
MOSFET SiC
BL1
MSCSM120DUM31CTBL1NG
Doppia sorgente comune
1200
25
79
MOSFET SiC
BL1
MSCSM120HM31CTBL2NG
Ponte completo
1200
25
79
MOSFET SiC
BL2
MSCSM120DHM31CTBL2NG
Ponte asimmetrico
1200
25
79
MOSFET SiC
BL2
MSCSM120DDUM31CTBL2NG
Doppia sorgente comune
1200
25
79
MOSFET SiC
BL2
MSCSM120HM16CTBL3NG
Ponte completo
1200
12.5
150
MOSFET SiC
BL3
MSCSM120DDUM16CTBL3NG
Doppia sorgente comune
1200
12.5
150
MOSFET SiC
BL3
MSCGLQ50A120CTBL1NG
Fase gamba
1200
2.05
110
TRINCEA 4 VELOCE IGBT
BL1
MSCGLQ50DU120CTBL1NG
Doppia sorgente comune
1200
2.05
110
TRINCEA 4 VELOCE IGBT
BL1
MSCGLQ50H120CTBL2NG
Ponte completo
1200
2.05
110
TRINCEA 4 VELOCE IGBT
BL2
MSCGLQ50DH120CTBL2NG
Ponte asimmetrico
1200
2.05
110
TRINCEA 4 VELOCE IGBT
BL2
MSCGLQ50DDU120CTBL2NG
Doppia sorgente comune
1200
2.05
110
TRINCEA 4 VELOCE IGBT
BL2
MSCGLQ75H120CTBL3NG
Ponte completo
1200
2.05
160
TRINCEA 4 VELOCE IGBT
BL3
MSCGLQ75DDU120CTBL3NG
Doppia sorgente comune
1200
2.05
160
TRINCEA 4 VELOCE IGBT
BL3
MSCDR90A160BL1NG
Fase gamba
1600
1.3
90
Diodo raddrizzatore
BL1

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Dateci l'opportunità di valutare il vostro progetto e di aiutarvi a portare la vostra visione sul mercato più velocemente.

Il nostro team di esperti

Il nostro team di ingegneri applicativi globali è disponibile a rispondere alle vostre domande per garantire che il progetto del vostro sistema di conversione di potenza o di accumulo di energia soddisfi le vostre aspettative di prestazioni. Se state passando dal silicio al nitruro di gallio (GaN) o al carburo di silicio (SiC), vi aiuteremo a individuare il dispositivo di commutazione più adatto per ottenere la densità di potenza e l'aumento dell'efficienza richieste dalla vostra applicazione.