Grazie a tensioni nominali più elevate, temperature di esercizio più basse, capacità di correnti più elevate e migliori caratteristiche di recupero, il carburo di silicio (SiC) ha permesso a diverse applicazioni di massimizzare l'efficienza e la densità di potenza mantenendo i costi al minimo; tuttavia, è importante caratterizzare completamente questi componenti e le loro prestazioni per trarre il massimo vantaggio dalla tecnologia SiC.
Scaricate questo white paper per scoprire come il sistema di test CIL (clamped inductive load) per MOSFET SiC di Wolfspeed può aiutarvi a modellare accuratamente il vostro progetto e a sfruttare appieno i vantaggi del SiC.
Correlato Contenuto

Tecnologia del carburo di silicio di quarta generazione: Ridefinizione delle prestazioni e della durata nelle applicazioni ad alta potenza
Questo libro bianco illustra la tecnologia MOSFET al carburo di silicio (SiC) di quarta generazione di Wolfspeed, progettata per applicazioni elettroniche ad alta potenza.

Il SiC rende più intelligenti gli alimentatori dei processi e dei semilavorati
I processi di fabbricazione dei dispositivi a semiconduttore prevedono diverse fasi distinte e complesse. Gli alimentatori utilizzati nelle apparecchiature per la fabbricazione di semiconduttori sono essenziali per tutte le attività nella parte anteriore e posteriore del processo.

Metodi di caratterizzazione e misurazione dinamica per i MOSFET SiC
Scoprite come il sistema di test CIL (clamped inductive load) per MOSFET SiC di Wolfspeed può aiutarvi a modellare con precisione il vostro progetto.