Dispositivi GaN versatili e a banda larga in pacchetti QFN16 3x3

HEMT GaN-on-SiC impacchettati per applicazioni RF ad alte prestazioni

Guerrilla RFI nuovi GRF0020 e GRF0030 da 30 e 50 watt sono HEMT discreti GaN-on-SiC che funzionano rispettivamente da CC a 7 GHz e da CC a 6 GHz su binari di alimentazione a 50 V. I dispositivi possono funzionare anche su binari di alimentazione da 28 V, erogando 19 W e 25 W di potenza in uscita satura.

Nuovo! GRF0020 E GRF0030 da GuerrillaRF

L'ampia larghezza di banda di questi nuovi dispositivi li rende adatti a una varietà di applicazioni, tra cui le infrastrutture 5G/cellulari, i radar, le comunicazioni e la strumentazione di test, e possono supportare operazioni sia lineari che a impulsi.

Applicazioni

  • Stazioni base e infrastrutture di rete 5G
  • Sistemi di comunicazione satellitare
  • Radio tattiche
  • Comunicazioni a microonde
  • Comunicazioni con i droni
  • Disturbo C-UAS/Drone
  • Contromisure EW
  • Sistemi radar
  • Dispositivi di imaging medico (ad esempio, RM)
  • Riscaldamento RF e generazione di plasma
  • Apparecchiature di prova per semiconduttori
  • Trasmettitori broadcast
  • Sistemi a microonde ad alta potenza
  • Sistemi di antenna distribuita (DAS)
  • Ripetitori
  • Amplificazione laser ad alta potenza

Disponibile anche come matrice nuda: GRF0020D

GRF0020

Il GRF0020 è un HEMT discreto GaN-on-SiC da 30W (P3dB) che funziona da DC a 7,0GHz su un rail di alimentazione da 50V. Questo dispositivo può funzionare anche su una linea di alimentazione da 28 V, erogando 19 W di potenza satura.
  • Gamma di frequenza operativa: Da CC a 7,0 GHz
  • Potenza di uscita massima (PSAT): 30 W @ 50 V; 19 W @ 28 V
  • Tensione di scarico operativa: 50 V e 28 V
  • Guadagno di potenza: 16 dB (@ 50 V)
  • Guadagno del piccolo segnale: 15,5 dB (a 50 V)
  • Efficienza di drenaggio a saturazione: 48% (@ 50 V)
  • Potenza di uscita satura: 45 dBm (@ 50 V)
  • Adatto per applicazioni pulsate e lineari

Disponibile anche come matrice nuda: GRF0030D

GRF0030

Il GRF0030 è un HEMT discreto GaN-on-SiC da 50W (P3dB) che funziona da DC a 6,0GHz su una linea di alimentazione da 50V. Questo dispositivo può funzionare anche su una linea di alimentazione da 28 V, erogando 25 W di potenza satura.
  • Gamma di frequenza operativa: Da CC a 6,0 GHz
  • Potenza di uscita massima (PSAT): 50 W @ 50 V; 25 W @ 28 V
  • Tensione di scarico operativa: 50 V e 28 V
  • Guadagno di potenza: 16 dB (@ 50 V)
  • Guadagno del piccolo segnale: 15,5 dB (a 50 V)
  • Efficienza di scarico a saturazione: 54,5% (@ 50 V)
  • Potenza di uscita in saturazione: 47 dBm (@ 50 V)
  • Adatto per applicazioni pulsate e lineari

Schede di valutazione (GRF0020 E GRF0030)

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GRF0020-EVB

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GRF0030-EVB

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