Il mercato globale dei semiconduttori di potenza RF è attualmente valutato in circa 1,5 miliardi di dollari1. Questi dispositivi forniscono l'amplificazione RF per un'ampia varietà di applicazioni, dalla risonanza magnetica ai trasmettitori broadcast, ai sistemi radar e alle stazioni base cellulari. La scelta della giusta categoria di componenti è fondamentale per sviluppare sistemi di amplificazione che soddisfino i requisiti di prestazioni, dimensioni, costi e tempi di commercializzazione. Il presente documento illustra le opzioni di costruzione dei componenti disponibili per tutte le tecnologie di amplificatori di potenza RF, compresa, ma non solo, quella GaN.

Esistono tre dispositivi a semiconduttore di potenza RF ampiamente disponibili: transistor discreti, transistor a effetto di campo ad accoppiamento di impedenza (IMFET) e circuiti integrati di amplificazione MMIC. Ogni dispositivo ha una proposta di valore unica che verrà trattata in questo articolo.

Di quanta integrazione avete bisogno? Definizione di transistor discreti, IMFET e amplificatori MMIC...