Il GaN rompe le barriere: gli amplificatori di potenza RF vanno in alto e in largo

Il GaN rompe le barriere: gli amplificatori di potenza RF vanno in alto e in largo

29 marzo 2022

Aerospaziale e difesa, comunicazioni

L'emergere di nuovi materiali semiconduttori come il GaN ha aperto la possibilità di raggiungere livelli di potenza più elevati coprendo ampie larghezze di banda. I dispositivi GaAs più corti e con lunghezza del gate hanno esteso le gamme di frequenza da 20 GHz a 40 GHz e oltre. L'affidabilità di questi dispositivi è dimostrata in letteratura e supera 1 milione di ore, rendendoli onnipresenti nei sistemi elettronici moderni. Prevediamo che la tendenza ad aumentare le frequenze e ad ampliare la larghezza di banda continuerà anche in futuro.

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