L'emergere di nuovi materiali semiconduttori come il GaN ha aperto la possibilità di raggiungere livelli di potenza più elevati coprendo ampie larghezze di banda. I dispositivi GaAs più corti e con lunghezza del gate hanno esteso le gamme di frequenza da 20 GHz a 40 GHz e oltre. L'affidabilità di questi dispositivi è dimostrata in letteratura e supera 1 milione di ore, rendendoli onnipresenti nei sistemi elettronici moderni. Prevediamo che la tendenza ad aumentare le frequenze e ad ampliare la larghezza di banda continuerà anche in futuro.
Correlato Contenuto

Come rendere pratica e pertinente una soluzione di predistorsione digitale
Alla base delle prestazioni statiche deve esserci la capacità di mantenere le prestazioni e la stabilità in un ambiente complesso in cui molti elementi sono in continuo mutamento.

Come rendere pratica e pertinente una soluzione di predistorsione digitale
La rapida transizione al 5G introduce una pletora di nuove sfide e scenari a cui gli sviluppatori di algoritmi e i fornitori di apparecchiature devono prestare maggiore attenzione.

Il ricetrasmettitore altamente integrato con front-end RF riduce i tempi e le risorse di progettazione
Gli ingegneri di Richardson RFPD e altri hanno collaborato con Analog Devices per introdurre un nuovo ricetrasmettitore altamente integrato e hanno costruito SoM e front-end RF per interfacciarsi con esso.