La modernizzazione militare continua senza sosta. L'aumento della spesa militare sta spingendo l'acquisto di sistemi di comunicazione wireless avanzati su piattaforme terrestri, aeree e marittime.

L'uso di MOSFET in carburo di silicio (SiC) ha permesso di fornire energia ad alta efficienza per una varietà di applicazioni, come la ricarica rapida dei veicoli elettrici, gli alimentatori, le energie rinnovabili e le infrastrutture di rete.

Sono parte integrante dei sistemi di test 5G e svolgono un ruolo fondamentale nel garantire l'affidabilità dei test e l'accuratezza delle misure.

Quando non è pratico utilizzare un modulo di potenza nel progetto, il parallelismo dei MOSFET è un approccio comune.

Questa Tech Chat aiuta i progettisti a capire meglio come la Rds(on) dei MOSFET SiC di Wolfspeed si confronta con altre tecnologie disponibili, come GaN, Silicio o altri dispositivi SiC.

Cosa vi viene in mente quando pensate a una "centrale elettrica portatile"? Una macchina ingombrante e pesante, rumorosa e poco potente. Una macchina che frustra i clienti.

L'obiettivo di questa nota applicativa è quello di fornire agli utenti dei dispositivi Wolfspeed ad ampio bandgap una linea guida sulle prestazioni termiche dei transistor SiC MESFET e GaN HEMT ad alta potenza. I

I progettisti possono sfruttare i vantaggi estesi del SiC con la semplice implementazione di un dispositivo a 4 conduttori in contenitore TO-247. Per saperne di più, consultate questa Tech Chat.

I tubi a vuoto utilizzati negli attuali trasmettitori a onde millimetriche sono sempre più minaccia crescente da parte degli HEMT GaN.

L'industria dei veicoli elettrici (EV) ha lottato per ridurre i tempi di ricarica degli EV mantenendo l'hardware economico e compatto.