IGBTやSiC MOSFETなどのハイパワートランジスタ用大電流ドライブ入力
タムラのゲートドライバは、最大1700Vのパワーモジュールをサポートし、高い絶縁性と低い浮遊容量性能を実現します。
- 特徴
- デュアル出力
- 低ストレーキャパシティ：2DDシリーズは9pF、2DMBシリーズは12pF
- 様々な回路保護：DESAT、ソフトターンオフ、アクティブクランプ（オプション）、ミラークランプ（オプション）
- 高速応答：90ns（±5ns）、パラレル駆動が可能
- 広い入力電圧：13～28VDC、出力電圧は一定
- 高さの低いプロファイル：2DDシリーズ用1/2インチ
- アプリケーション
- インバーター
- 太陽光発電/風力発電インバータ
- モーター制御ユニット
- バッテリーチャージャー
- 溶接機
- 産業用電源
- IGBTとSiC MOSFET技術
2DDシリーズ
2DDシリーズは、各種SiC、IGBTパワーモジュール駆動用の専用DC-DCコンバータです。低寄生容量（9pF）と絶縁耐圧（5kV）により、IGBTやSiC製品の駆動に最適です。
2DD151008C:DC/DC電源 (+15V, -10V)
2DD151507C:DC/DC電源（+15V、-15V）
2DD180206C:DC/DC電源（+18V、-2V）
2DD180407C:DC/DC電源（+18V、-4V）
2CG-Bシリーズ
従来の低浮遊容量に加え、高絶縁耐圧（1700Vモジュールまで対応）と低背化を実現した次世代ゲートドライバが登場。SiC MOSFETの高速スイッチング駆動にも適しています。
2CG010BBC11N:モジュール (+15V, -10V)
2CG010BBC12N:モジュール（+15V、-15V）
2CG010BBC13N:モジュール (+18V, -4V)
2CG010BBC14N:モジュール（+18V、-2V）
デュアルチャネル IGBT & SiC MOSFET ゲートドライバユニット
ゲートドライバユニット製品は、特定のパワーデバイスに適合させた完成品で、すぐに使用できるゲートドライバです。絶縁型DC/DCコンバータとゲート駆動回路を内蔵し、短絡検出電圧も設定済みです。
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