ウォルフスピード 1200V SiC MOSFET、200V～800VのEVバッテリーの双方向充電を実現

ウォルフスピード 1200V SiC MOSFET、200V～800VのEVバッテリーの双方向充電を実現

2021年5月18日

ウルフスピード

EV急速充電

電気自動車（EV）業界は、ハードウェアを経済的かつコンパクトに保ちながら、EVの充電時間を短縮することに苦心してきた。炭化ケイ素（SiC）MOSFETでは、より高い効率と電力密度に加え、耐久性と信頼性の向上により、システム設計を薄型、軽量、低コストに維持し、メンテナンスと部品の寿命を延ばすのに役立つことが証明されています。 EV充電システムも同様で、ウォルフスピードの1,200V SiC MOSFETは、これらの性能向上に対応するだけでなく、双方向の充放電を可能にすることで、IBGTトポロジーを置き換え、シンプルな2レベル実装を可能にします。

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当社のグローバル・アプリケーション・エンジニア・チームは、お客様の電力変換またはエネルギー貯蔵システムの設計がお客様の期待性能を満たすよう、お客様のご質問にお答えします。シリコンから窒化ガリウム（GaN）または炭化ケイ素（SiC）への移行をお考えの場合、アプリケーションに必要な電力密度と効率の向上を達成するための適切なスイッチング・デバイスを特定するお手伝いをいたします。