氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）因其优于传统硅晶体管的性能，在电子领域越来越受欢迎。氮化镓高电子迁移率晶体管可以在更高的开关频率下工作，使工业界能够降低系统中使用的电子器件的尺寸。优异的热性能有助于它们在电动汽车动力系统、输电线路和电机驱动等大功率应用中的应用。
本应用说明探讨了损耗的类型以及确保正确监控和分析并联 GaN HEMT 损耗分布的方法。
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能源与动力应用说明
2022 年 7 月 24 日
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