储能与电力转换知识中心

Wolfspeed 现正通过商业化的方式，在汽车和工业市场上推出一种众所周知的顶部冷却封装，从而扩大系统设计选择。

无论是碳化硅（SiC）还是氮化镓（GaN），宽带隙材料都以无与伦比的效率和性能为未来提供动力，推动电动汽车、可再生能源和新一代电子产品取得突破性进展。

与机械断路器相比，SSCB 使用半导体器件快速切断电流，减少了损坏和火灾风险。本技术交流探讨了 SiC MOSFET 和 SiC JFET 之间的差异，并重点介绍了 SSCB 应用中的最佳选择。

本文探讨了设计专为 WBG 器件优化的隔离栅极驱动器的关键要求，重点介绍了可提高性能、效率和可靠性的关键先进技术。

无论您是为工业、汽车还是能源基础设施应用进行设计，安森美都能以深厚的技术专长为后盾，提供全面的半导体技术组合。

最近有一种趋势，即用固态断路器取代传统的机电式断路器，以保护昂贵的电力电子设备...

评估板对于元件性能评估至关重要。我们的设计专家与 Exeling 合作开发了氮化镓半桥评估板。

本报告更新了 ARM，详细介绍了世行集团市场和技术的现状、路线图主题的变化...

本白皮书重点介绍 Wolfspeed 公司专为大功率电子应用而设计的第四代碳化硅 (SiC) MOSFET 技术。

通过睿查森电子提供的 onsemi 新的伺服和交流驱动器综合资源，增强您的电机控制解决方案。

顶部冷却功率半导体在电力电子设计领域越来越受到关注。改进的热...

本文全面回顾了超级电容器的现状，并重点介绍了对这些系统的可靠性有重大影响的关键设计因素。 对这些系统的可靠性有重大影响的关键设计因素。

在本期技术对话中，睿查森电子 和 Exeling s.r.l 的代表回顾了两家公司共同开发的 GaN 半桥评估板。

睿查森电子全球工程总监 Razvan Rusu 分享了他 35 年职业生涯中的亮点，包括见证...

相邻或共用导体的电子设备容易受到电磁干扰 (EMI) 的影响...

将 onsemi 产品集成到您的 OBC 系统中。睿查森电子的现场应用团队可为您的任何问题提供支持...

Onsemi 的 IGBT/SiC/Hybrid 功率集成模块、分立式 IGBT 和相关栅极驱动器产品组合，结合...

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在这次技术交流中，我们将讨论碳化硅的 EMI 辐射与硅的比较，以及 Wolfspeed 的碳化硅模块在补偿这些辐射方面的优势。

了解 Skyworks 的高性能隔离栅极驱动器和 Innoscience 的 100V-150V GaN 器件如何引领新一代高保真音频放大器的发展。