150 kVA 3 相 SiC 功率堆栈参考设计

来自 Mersen + Microchip
150 kVA 3 相 SiC 功率堆栈参考设计

150 kVA 3 相 SiC 功率堆栈参考设计

Mersen SiC 功率堆栈参考设计 帮助逆变器设计人员节省时间和 在选择单个元件时的困惑 并可从针对其特定应用而预先设计的解决方案中获益匪浅 为其特定应用预先设计的最佳解决方案中获益匪浅。 应用而预先设计的解决方案中获益匪浅。
微芯片标志

特色产品 梅尔森产品

SiC MOSFET 功率模块

万物电气化 "推动了对更高功率保真度的需求。电动汽车、商业运输、可再生能源和储能系统的设计人员可从碳化硅堆栈解决方案中获益,这些解决方案可提高性能和成本效率,并将产品的上市时间加快长达六个月。

碳化硅解决方案的优点包括

  • 更快上市
  • 最佳性能和效率
  • 经过验证的解决方案,可避免采购单个部件
  • 通过可靠性和加速开发降低风险

特色产品 微芯片产品

SiC MOSFET 功率模块

  • 配置:相位脚
  • VDSS (V):1200
  • RDS(on) (mΩ) 典型值: 4.2
  • 电流 (A) Tc = 80°C: 394
  • 硅类型SiC MOSFET
  • 包装D3

AgileSwitch® 栅极驱动器核心

  • 软件可配置 +/- Vgs 栅极电压
  • 获得专利的增强型开关
  • 已获专利的强大短路保护功能
  • 高级监控和故障报告
  • 15 种软件配置功能
  • 温度和直流链路监控器
  • 多达七个独特的故障代码
  • 开关频率高达 150 千赫

能源与动力设计支持

让我们有机会对您的项目进行评估,帮助您更快地将愿景推向市场。

关于我们的专家团队

我们的全球应用工程师团队随时为您答疑解惑,确保您的功率转换或储能系统设计达到您的性能预期。如果您正在从硅过渡到氮化镓 (GaN) 或碳化硅 (SiC),我们将帮助您确定合适的开关器件,以实现您的应用所需的功率密度和更高的效率。