用于工业和太阳能应用的辅助电源

参考设计采用 Microchip 1700V SiC MOSFET
RFPD
Microchip 的 1700 V 辅助电源参考设计

Microchip 的 1700 V 辅助电源参考设计

1.7 kV SiC MOSFET 是在需要宽输入电压范围的辅助电源应用中使用单开关反激式拓扑结构的绝佳选择。1.7 kV 击穿电压可为 1 kV 输入电压提供足够的电压裕量。1.7 kV SiC MOSFET 的比导通电阻比高压硅 MOSFET 低得多，因此在相同的封装内可以实现更小的芯片尺寸和更低的导通电阻。更小的芯片尺寸也大大降低了开关损耗。该选件允许用户提高辅助电源的开关频率，以减小变压器的尺寸和重量。

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辅助电源 工业和太阳能应用 应用

采用 1.7 kV SiC MOSFET、用于辅助电源应用的单开关反激式转换器拓扑结构

特点

  • 单开关反激式拓扑结构
  • 宽输入电压：250 V-1000 V
  • +24V/2A 和 +15V/1A 双输出；总输出功率 63 W
  • 宽功率范围内的高功率转换效率
  • 基于电流模式 PWM（脉宽调制）控制器的闭环控制

    • 应用

  • 工业电机驱动器
  • 太阳能逆变器
  • 不间断电源
  • 通用变频器
  • 级联 H 桥转换器
  • 模块化多电平转换器

    • 参考设计 物料清单

    MSC750SMA170 MSC750SMA170是 Microchip 最新 SiC MOSFET 器件系列的一部分。Microchip 的 SiC 解决方案专注于高性能，有助于最大限度地提高系统效率，并最大限度地减小系统重量和尺寸。Microchip 久经考验的 SiC 可靠性还可确保在终端设备的使用寿命内不会出现性能下降。

    部件编号
    电压 (V)
    电流 (A)
    Rds(on) (mΩ)
    配置
    包装类型
    MSC750SMA170B
    1700
    7
    750
    单 SiC MOSFET
    TO-247-3L
    MSC750SMA170SA
    1700
    6
    750
    单 SiC MOSFET
    D2PAK-7L
    MSC750SMA170S
    1700
    6
    750
    单 SiC MOSFET
    TO-268
    MSC750SMA170B4
    1700
    7
    750
    单 SiC MOSFET
    TO-247-4L

    能源与动力设计支持

    让我们有机会对您的项目进行评估，帮助您更快地将愿景推向市场。

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    我们的全球应用工程师团队随时为您答疑解惑，确保您的功率转换或储能系统设计达到您的性能预期。如果您正在从硅过渡到氮化镓 (GaN) 或碳化硅 (SiC)，我们将帮助您确定合适的开关器件，以实现您的应用所需的功率密度和更高的效率。
     
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