简化 SiC 选择和评估

具有非对称稳压输出的 R23C2T25 DC/DC 转换器的特点
用于栅极驱动器的高隔离 DC/DC 转换器

用于栅极驱动器的高隔离 DC/DC 转换器

直流/直流转换器通常需要为高压侧栅极驱动器提供隔离的不对称电源。最简单的(功能性)隔离可以承受 1 kVDC 一秒钟。这听起来令人印象深刻,但往往是不够的。

高压侧逆变器通常采用光隔离 PWM 控制,浮动电压为几百伏,因此栅极驱动器需要隔离电源。这种隔离电源对于 IGBT 通常为 +15/-9 V,对于 SiC 通常为 +20/-5 V 或 +15/-3 V,对于 GaN 通常为 +6 V 和 +9 V。典型的 DC/DC 隔离电压至少是工作电压的两倍,但这些大功率晶体管产生的高环境温度和快速开关边沿会对绝缘屏障造成额外的压力。

高隔离 DC/DC 转换器 来自 RECOM

RECOM将所需的不对称输出电压、高绝缘电压和低隔离电容集成到一个简单的 DC/DC 转换器模块中。无论是 IGBT、SiC MOSFET 还是 GaN HEMT,RECOM 都能提供匹配的插件产品。

碳化硅栅极驱动器

RECOM 的 RxxP 和 RA3 系列专为实现最佳 SiC MOSFET 性能而设计,可提供精确的非对称电压和大电流输出,为第一代至第三代 WBG 器件提供高效、高速开关。

氮化镓栅极驱动器

RECOM 的 RP、RxxP06S 和 RA3 系列 DC/DC 转换器具有高隔离度和低电容,可在 +6V 电压下实现最佳 GaN 晶体管开关,并提供灵活的输出选项,包括用于负栅极驱动的分路 +9V 电压。

IGBT 栅极驱动器

RECOM 的 RH、RV、RP、RGZ、RKZ 和 RxxP 系列 DC/DC 转换器采用非对称 +15V/-9V 输出,简化了 IGBT 驱动器设计,以单一紧凑型解决方案取代了双路转换器,提供多种引脚输出和封装。

SiC 栅极驱动器 - 高隔离 DC/DC 转换器

RECOM 的 2W SiC 栅极驱动器 DC/DC 转换器(RKZ、RxxP2xx、RA3 以及 R24C2T25 和 R24C2T25/R 系列)提供高达 6.4kVDC/1s 的增强隔离和高效 SiC MOSFET 开关所需的不对称电压。RxxP22005D 和 RKZ-xx2005D 系列为第一代器件提供 +20V/-5V 电压,而 RxxP21503D 系列则为第二代 SiC MOSFET 提供 +15V/-3V 电压。紧凑型 R24C2T25 和 R24C2T25/R 系列采用节省空间的 SMD 封装,增加了可编程非对称输出,而 SMD 安装型 RA3 系列则提供三种电压组合和更高的电流能力,以最大限度地提高多代 SiC 开关性能。

部件编号
输入电压 (V)
输出电压 (V)
输出功率(瓦)
隔离 (kV)
R9C1T18/R
8.5 - 18
可编程
3
5
R12C2T25/R
9 - 18
可编程
2.5
5
R12C2T12/R
9 - 18
可编程
2.5
5
R15C2T25/R
13.5 - 18
可编程
2.5
5
R24C2T25/R
21 - 27
可编程
2.5
5
R24C2T25
21 - 27
可编程
2.5
3
R05P22005D/P
5
20/-5
2
6.4
R12P21503D
12
15/-3
2
6.4
R12P22005D
12
20/-5
2
6.4
R12P22005D/P
12
20/-5
2
6.4
R15P21503D
15
15/-3
2
6.4
R15P22005D
15
20/-5
2
6.4
R15P22005D/P
15
20/-5
2
6.4
R24P21503D
24
15/-3
2
6.4
R24P21503D/P
24
15/-3
2
6.4
R24P22005D
24
20/-5
2
6.4
R24P22005D/P
24
20/-5
2
6.4
RKZ-052005D
5
20/-5
2
3
RKZ-052005D/H
5
20/-5
2
4
RKZ-052005D/HP
5
20/-5
2
4
RKZ-052005D/P
5
20/-5
2
3
RKZ-122005D
12
20/-5
2
3
RKZ-122005D/H
12
20/-5
2
4
RKZ-122005D/HP
12
20/-5
2
4
RKZ-122005D/P
12
20/-5
2
3
RKZ-152005D
15
20/-5
2
3
RKZ-152005D/H
15
20/-5
2
4
RKZ-152005D/HP
15
20/-5
2
4
RKZ-152005D/P
15
20/-5
2
3
RKZ-242005D
24
20/-5
2
3
RKZ-242005D/H
24
20/-5
2
4
RKZ-242005D/HP
24
20/-5
2
4
RKZ-242005D/P
24
20/-5
2
3
RA3-050701D/SMD
5
7/-1
3
5.2
RA3-051503D/SMD
5
15/-3
3
5.2
RA3-051505D/SMD
5
15/-5
3
5.2
RA3-052005D/SMD
5
20/-5
3
5.2
RA3-120701D/SMD
12
7/-1
3
5.2
RA3-121503D/SMD
12
15/-3
3
5.2
RA3-121505D/SMD
12
15/-5
3
5.2
RA3-122005D/SMD
12
20/-5
3
5.2
RA3-240701D/SMD
24
7/-1
3
5.2
RAM3-241503D/SMD
24
15/-3
3
5.2
RAM3-241505D/SMD
24
15/-5
3
5.2
RA3-242005D/SMD
24
20/-5
3
5.2

氮化镓驱动器 - 高隔离 DC/DC 转换器

RECOM 的 RP-xx06S 和 RxxP06S DC/DC 转换器提供具有高隔离度和低电容的 +6V 电压,是高转换速率 GaN 晶体管驱动器的理想之选。对于噪音较大的环境,+9V 版本可通过齐纳分流至 +6V 和 -3V,确保关断时安全的负栅极偏置。R24C2T25 和 R24C2T25/R 系列推出了紧凑型 SMD 解决方案,具有可编程非对称输出,可在氮化镓应用中实现精确的电压定制。针对更高的功率需求,SMD 安装的 RA3 系列提供三种输出选项和更大的电流能力,可为氮化镓和其他 WBG 器件提供快速、可靠的开关。

部件编号
输入电压 (V)
输出电压 (V)
输出功率(瓦)
隔离 (kV)
R9C1T18/R
8.5 - 18
可编程
3
5
R12C2T25/R
9 - 18
可编程
2.5
5
R12C2T12/R
9 - 18
可编程
2.5
5
R15C2T25/R
13.5 - 18
可编程
2.5
5
R24C2T25/R
21 - 27
可编程
2.5
5
R24C2T25
21 - 27
可编程
2.5
3
R05P06S
5
6
1
6.4
R12P06S
12
6
1
6.4
R15P06S
15
6
1
6.4
R24P06S
24
6
1
6.4
RP-0506S
5
6
1
5.2
RP-1206S
12
6
1
5.2
RP-1506S
15
6
1
5.2
RP-2406S
24
6
1
5.2
RA3-050701D/SMD
5
7/-1
3
5.2
RA3-051503D/SMD
5
15/-3
3
5.2
RA3-051505D/SMD
5
15/-5
3
5.2
RA3-052005D/SMD
5
20/-5
3
5.2
RA3-120701D/SMD
12
7/-1
3
5.2
RA3-121503D/SMD
12
15/-3
3
5.2
RA3-121505D/SMD
12
15/-5
3
5.2
RA3-122005D/SMD
12
20/-5
3
5.2
RA3-240701D/SMD
24
7/-1
3
5.2
RAM3-241503D/SMD
24
15/-3
3
5.2
RAM3-241505D/SMD
24
15/-5
3
5.2
RA3-242005D/SMD
24
20/-5
3
5.2

IGBT 驱动器 - 高隔离 DC/DC 转换器

RECOM 的 RH、RV、RP、RGZ、RKZ、RxxPxx、RxxP2xx、RA3、R24C2T25 和 R24C2T25/R DC/DC 转换器专为 IGBT 驱动器电路设计,可提供 +15V/-9V 的非对称输出。这样就不需要两个单独的转换器,从而简化了设计并节省了电路板空间。SMD 安装型 RA3 系列提供三种电压选择,输出电流更大,开关速度更快,而采用 36 引脚 SSOP SMD 封装的紧凑型 R24C2T25/R 系列则提供可编程双稳压输出、宽输入范围、增强型 5kVAC 隔离和集成保护功能,确保在 IGBT 应用中实现精确的栅极驱动电压和可靠的运行。

部件编号
输入电压 (V)
输出电压 (V)
输出功率(瓦)
隔离 (kV)
R9C1T18/R
8.5 - 18
可编程
3
5
R12C2T25/R
9 - 18
可编程
2.5
5
R12C2T12/R
9 - 18
可编程
2.5
5
R15C2T25/R
13.5 - 18
可编程
2.5
5
R24C2T25/R
21 - 27
可编程
2.5
5
R24C2T25
21 - 27
可编程
2.5
3
RGZ-xx1509D
5, 12, 24
15/-9
2
3
RH-xx1509D
5, 12, 24
15/-9
1
3
RKZ-xx1509D
5, 12, 24
15/-9
2
3
RV-xx1509D
5, 12, 24
15/-9
2
6
R05P22005D/P
5
20/-5
2
6.4
R12P21503D
12
15/-3
2
6.4
R12P22005D
12
20/-5
2
6.4
R12P22005D/P
12
20/-5
2
6.4
R15P21503D
15
15/-3
2
6.4
R15P22005D
15
20/-5
2
6.4
R15P22005D/P
15
20/-5
2
6.4
R24P21503D
24
15/-3
2
6.4
R24P21503D/P
24
15/-3
2
6.4
R24P22005D
24
20/-5
2
6.4
R24P22005D/P
24
20/-5
2
6.4
RA3-050701D/SMD
5
7/-1
3
5.2
RA3-051503D/SMD
5
15/-3
3
5.2
RA3-051505D/SMD
5
15/-5
3
5.2
RA3-052005D/SMD
5
20/-5
3
5.2
RA3-120701D/SMD
12
7/-1
3
5.2
RA3-121503D/SMD
12
15/-3
3
5.2
RA3-121505D/SMD
12
15/-5
3
5.2
RA3-122005D/SMD
12
20/-5
3
5.2
RA3-240701D/SMD
24
7/-1
3
5.2
RAM3-241503D/SMD
24
15/-3
3
5.2
RAM3-241505D/SMD
24
15/-5
3
5.2
RA3-242005D/SMD
24
20/-5
3
5.2

能源与动力设计支持

让我们有机会对您的项目进行评估,帮助您更快地将愿景推向市场。

关于我们的专家团队

我们的全球应用工程师团队随时为您答疑解惑,确保您的功率转换或储能系统设计达到您的性能预期。如果您正在从硅过渡到氮化镓 (GaN) 或碳化硅 (SiC),我们将帮助您确定合适的开关器件,以实现您的应用所需的功率密度和更高的效率。