Innoscience - INN650D080BS

现货供应:Innoscience 650V、29A 硅基氮化镓功率晶体管,采用 DFN、8 x 8 封装
INN650D080BS:650 V、29 A 硅基氮化镓功率晶体管 

INN650D080BS:650 V、29 A 硅基氮化镓功率晶体管 

650V 硅基氮化镓增强型功率晶体管,采用双扁平无引线封装 (DFN),尺寸为 8 mm × 8 mm。
  • 增强型晶体管-正常关闭的电源开关
  • 超高开关频率
  • 无逆向回收费用
  • 低栅极电荷,低输出电荷
  • 符合 JEDEC 标准的工业应用要求
  • 防静电保护
  • 符合 RoHS、无铅和 REACH 标准
  • 交流-直流转换器
  • 直流-直流转换器
  • BCM/DCM 图腾柱 PFC
  • 快速电池充电
  • 高密度电力转换
  • 高效功率转换
参数
价值
最大 VDS
650V
RDS(导通),最大值 @ VGS = 6 V
80mΩ
QG,typ @ VDS = 400 V
6.2nC
ID 脉冲
58A
QOSS @ VDS = 400 V
60nC
Qrr @ VDS = 400 V
0nC

能源与动力设计支持

让我们有机会对您的项目进行评估,帮助您更快地将愿景推向市场。

关于我们的专家团队

我们的全球应用工程师团队随时为您答疑解惑,确保您的功率转换或储能系统设计达到您的性能预期。如果您正在从硅过渡到氮化镓 (GaN) 或碳化硅 (SiC),我们将帮助您确定合适的开关器件,以实现您的应用所需的功率密度和更高的效率。