高性能 SolidGaN™ 集成电路

将 700V E-Mode GaN FET 与高压线性稳压器集成在一起
ISG610x - 700V SolidGaN™,带电流检测功能

ISG610x - 700V SolidGaN™,带电流检测功能

睿查森电子睿查森电子 700V 集成器件系列将功率 GaN HEMT、驱动器、电流检测和其他功能集成在一个行业标准的 QFN 6x8mm 封装中。

700V ISG610x SolidGaN器件的 Rds(on) 范围从典型值 100mΩ(最大值 140mΩ)到典型值 320mΩ(最大值 450mΩ),节省了 PCB 空间和 BOM 数量,同时提高了效率,简化了 USB-PD 充电器、LED 照明、AC/DC 电源和 PFC、QR 反激式、ACF 和 LLC 转换器等应用的设计。

ISG610x 系列 来自 Innoscience

部件编号
配置
包装
最大 VDS (V)
RDS(on)_typ (mΩ)
RDS(on)max (mΩ)
科斯(北卡罗来纳州)
最大ID(A)
最大IDPuls(A)
ISG6106QA
单人
QFN 6X8
700
100
140
36.6
12
24
ISG6107QA
单人
QFN 6X8
700
150
210
22.5
8
16
ISG6108QA
单人
QFN 6X8
700
230
320
18.2
5
10
ISG6109QA
单人
QFN 6X8
700
320
450
13.7
4
8

ISG610X - 高性能 SolidGaN™

ISG610X 是一款高性能 SolidGaN集成电路,集成了一个 700V E-Mode GaN FET、一个高压线性稳压器、一个智能栅极驱动器和一个精确的无损耗电流检测电路。高压线性稳压器具有高达 80V 的输入能力,无需外部稳压器,可为集成式 GaN FET 保持严格调节的 6V 栅极驱动电压。集成式智能栅极驱动器提供双压摆率栅极驱动方案,同时调整栅极开启压摆率,以实现高频率运行、高能效和低 EMI 性能。无损耗电流检测电路消除了外部电流检测电阻,提高了系统能效。

ISG610X 提供平稳过渡的自主待机模式,并最大限度地降低了空载条件下的静态电流。其他功能包括 5V LDO 外部数字隔离器、UVLO、OCP 和 OTP 保护。参阅功能框图,可以更好地了解其工作原理。

能源与动力设计支持

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关于我们的专家团队

我们的全球应用工程师团队随时为您答疑解惑,确保您的功率转换或储能系统设计达到您的性能预期。如果您正在从硅过渡到氮化镓 (GaN) 或碳化硅 (SiC),我们将帮助您确定合适的开关器件,以实现您的应用所需的功率密度和更高的效率。