将效率和可靠性提升到新水平
Microchip 的 SiC 解决方案注重高性能，有助于最大限度地提高系统效率，并最大限度地减小系统重量和尺寸。Microchip 久经考验的 SiC 可靠性还可确保在终端设备的使用寿命内不会出现性能下降。
- 栅极氧化物完整性
- 稳如磐石的电压
- 寿命 > 100 年
- 雪崩坚固型
- 100K 脉冲后性能稳定
- 优化成本和效率
- 坚固的体二极管
- 无降解
- 消除续流肖特基
- "类似 IGBT 的 "短路性能
- 100K 脉冲后性能稳定
- 优化成本和效率
3.3 kV 碳化硅 MOSFET 和二极管
设备类型 | 部件编号 (V) | 电压 (V) | Rds(on) (mΩ) | 电流 (A) | 包装类型 | SiC MOSFET | MSC025SMA330B4 | 3300 | 25 | 104 | TO-247-4L |
|---|---|---|---|---|---|
SiC MOSFET | MSC080SMA330B4 | 3300 | 80 | 43 | TO-247-4L |
SiC MOSFET | MSC400SMA330B4 | 3300 | 400 | 8 | TO-247-4L |
SiC SBD | MSC030SDA330B | 3300 | - | 30 | TO-247-2L |
SiC SBD | MSC090SDA330B2 | 3300 | - | 90 | T-MAX (-2L) |
- 我们要解决什么问题？
- 3.3 kV 硅 IGBT 性能有限（速度慢，开关损耗高）
- 使用 3.3 kV SiC 可消除设计折衷、降低设计复杂性并降低系统成本
- 利用碳化硅技术的优势：减小尺寸、重量和损耗，提高开关频率能力
- 3.3 kV SiC 产品供应商有限
- 目标应用
- 铁路牵引动力装置 (TPU) 和辅助动力装置 (APU)
- 医疗成像电源
- SemiCap（半导体资本设备）
- 可再生能源/电网
- 工业电机驱动器
- 航空航天和国防配电
