新型 Microchip 第 7 代 IGBT 功率模块

具有更强的功率能力、更低的功率损耗和更小的器件尺寸等特点
Microchip IGBT 7 功率模块 - 适用于各种应用的高电压、低损耗解决方案

Microchip IGBT 7 功率模块 - 适用于各种应用的高电压、低损耗解决方案

发现 Microchip多功能 IGBT 7 电源模块,采用多种封装选项,具有更强的电流能力、更低的损耗和更高的效率。这些模块的电压范围从 1200V 到 1700V,电流高达 900A,可为各种应用提供功率、精度和性能。

芯片

IGBT 7 产品组合 - 微型芯片

新的 IGBT 7 产品组合目前有七种封装,共 49 个零件。与前几代产品相比,这些器件具有更低的 VCE(sat) 和 Vf 值、Tj 175°C 时的过载能力、高 50% 的电流能力、更强的 dv/dt 可控性、更好的续流二极管软性以及更简单的驱动。

IGBT 7 功率、性能和精度

设备功能

  • 较低的导通电压 VCE(饱和)和 Vf
  • Tvj,op = 175°C 时的过载能力
  • 增强 dv/dt 的可控性
  • 改进型续流二极管
  • 针对简单驾驶进行了优化

应用优势

  • 电流比 IGBT4 高 ~50
  • 框架尺寸跳变
  • 减少并联需求
  • 减少电磁干扰问题
  • 覆盖中低纬度地区
  • ~15% 的损耗低于 IGBT4

客户利益

  • 高功率密度
  • 降低系统成本
  • 高效率
  • 可靠性和耐用性
  • 易于使用
  • 更快上市

其他 资源

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