业内最低的传导和开关损耗，实现了更小、更轻、更高效的功率转换。
Wolfspeed 的第三代 650V MOSFET 技术针对高性能电力电子应用进行了优化，包括服务器电源供应商、电动汽车充电系统、储能系统、UPS、太阳能（光伏）逆变器和消费电子产品。
与硅器件相比，Wolfspeed 的 650V SiC MOSFET 可实现以下功能
- 开关损耗降低 75
- 1/2 传导损耗
- 功率密度提高 3 倍
益处
特点
狼人速度 特色产品
部件编号 | 阻断电压 (V) | RDS(on)(mΩ) | (ID) @ 25°C (A) | 包装 | 样品 | C3M0015065K | 650 | 15 mΩ | 120 | TO-247-4 | 索取样品 |
|---|---|---|---|---|---|---|
C3M0015065D | 650 | 15 mΩ | 120 | TO-247-3 | 索取样品 | |
C3M0025065D | 650 | 25 mΩ | 97 | TO-247-3 | 索取样品 | |
C3M0025065K | 650 | 25 mΩ | 97 | TO-247-4 | 索取样品 | |
C3M0045065K | 650 | 45 mΩ | 49 | TO-247-4 | 索取样品 | |
C3M0060065K | 650 | 60 mΩ | 37 | TO-247-4 | 索取样品 | |
C3M0060065D | 650 | 60 mΩ | 37 | TO-247-3 | 索取样品 | |
C3M0060065J | 650 | 60 mΩ | 37 | TO-263-7 | 索取样品 | |
C3M0120065D | 650 | 120 mΩ | 22 | TO-247-3 | 索取样品 | |
C3M0120065K | 650 | 120 mΩ | 22 | TO-247-4 | 索取样品 | |
C3M0120065J | 650 | 120 mΩ | 21 | TO-263-7 | 索取样品 |
Wolfspeed 650V MOSFET： 相关产品
C5D50065D
Wolfspeed
50A、650V SiC 肖特基二极管
TO-247-3 封装
将 Wolfspeed SiC 二极管与 SiC MOSFET 搭配购买，可实现更高的效率和更低的元件价格。
650V SiC 肖特基二极管
Wolfspeed
第六代
最新的 C6D 技术具有最低的正向压降（VF = 1.27 V @ 25°C），对减少传导损耗有显著影响，从而进一步提高了要求最苛刻的功率转换应用中的系统级效率和功率密度。
ADUM4121-1CRIZ
模拟设备
高压隔离栅极驱动器，带内部米勒钳位 2A 输出，11.3V UVLO
ADuM4121-1CRIZ 是一款 2A 隔离型单通道驱动器，采用 Analog Devices 的 iCoupler® 技术提供精确隔离。
CRD-06600FF065N
Wolfspeed
6.6 千瓦高功率密度双向
电动汽车车载充电器
演示板包括一个双向图腾柱 PFC（AC/DC）级和一个隔离式双向 DC/DC 级，它们都基于具有准恒定直流链路电压的 CLLC 拓扑。
kit-crd-3dd065p
Wolfspeed
kit-crd-3dd065p
评估和优化 Wolfspeed 最新 (C3M) 650 V SiC MOSFET 和第六代 (C6D) 650 V SiC 肖特基二极管的稳态和高速动态开关性能。
CRD-02AD065N
Wolfspeed
2.2 kW 高效率（80+ Titanium）无桥图腾柱 PFC，采用碳化硅 MOSFET
参考设计提供了一种基于 650 V 60 mΩ SiC MOSFET 的 2.2 kW 无桥图腾柱 PFC 拓扑的高效低成本解决方案。
