利用即插即用型 mSiC™ 栅极驱动器加快产品上市时间

万物电气化促使人们需要提高系统性能、可靠性和成本。硅（Si）器件的局限性促使人们采用碳化硅（SiC）等宽带隙技术来应对这些挑战。虽然碳化硅具有许多优点，但它也带来了一些设计挑战，如电磁干扰（EMI）、过热和过压条件，这些问题可以通过选择正确的栅极驱动器来解决。

随着 SiC 技术在中高压应用中的广泛采用，系统设计的复杂性也随之增加，而且可能更加耗时，从而可能大大延迟产品的上市时间。Microchip 的即插即用 mSiC™ 栅极驱动器系列能够很好地应对这些挑战，该系列设计为 "开箱即用 "的交钥匙解决方案。

主要收获

• 了解 即插即用栅极驱动器
• 了解使用即插即用 mSiC™ 栅极驱动器的设计和性能优势
• 了解该栅极驱动器系列与其他可选产品的区别 探索 3.3 kV 即插即用 mSiC™ 栅极驱动器系列

发言人

Pradeep Kulkarni，MISUMI 公司碳化硅业务部产品营销经理

Pradeep Kulkarni 是 Microchip 碳化硅业务部的产品营销经理，常驻印度班加罗尔。他负责公司 mSIC™ 栅极驱动器的营销工作。 Pradeep 在其他领先的功率半导体公司拥有超过 13 年的产品管理、产品营销和业务开发工作经验。他拥有孟买大学电子工程学士学位和 CMR 大学产品领导力 EMBA 学位。