用于航空电子设备和雷达的特色氮化镓
Microchip 在射频功率器件领域拥有数十年的悠久历史，提供基于 SiC 氮化镓和高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的高性能分立 CW 和脉冲射频及微波晶体管产品（最高频率可达 14 GHz）以及 MMIC 放大器（最高频率可达 32 GHz），可用于航空航天、国防、商业雷达、通信和工业应用。这些器件采用裸片、塑料 QFN/DFN 封装、丸状和凸缘陶瓷封装，以及 50 Ω 输入/输出模块托盘。
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航空电子设备应答器
1011GN-1200V: 1030-1090 MHz GaN HEMT
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一级 L 波段雷达
1214GN-1200VG： 1.2-1.4 GHz GaN HEMT
1011GN-1200V: 1030-1090 MHz GaN HEMT
1214GN-1200VG 是一款内部匹配、共源、AB 类氮化镓硅 HEMT 晶体管，能够提供超过 16.3 dB 的增益、53% 的漏极效率、1200 W 的脉冲射频输出功率（300 μs 脉宽、10% 占空比），适用于 1200-1400 MHz 频段。该晶体管具有内部预匹配功能，可实现最佳性能，是 L 波段脉冲初级雷达输出级的理想之选。
商用雷达和 A&D
ICP0349P： 2.7-3.5 GHz 2 级 GaN MMIC 功率放大器 IC
ICP0349P 是一款 2 级功率放大器，匹配 50 欧姆集成直流阻断电容器，采用塑料 QFN 封装。该器件采用 0.25um 氮化镓碳化硅工艺制造，工作频率为 2.7-3.5 GHz，输出功率超过 48 dBm，PAE 为 60%，非常适合商业和国防雷达应用。
S 波段雷达
2729GN-300VP：300 W、50 V、2700-2900 MHz 功率放大器托盘
2729GN-300VP 是一种 50 欧姆输入和输出匹配的托板产品，其上使用的是 2729GN-300V 晶体管。托盘结构采用最佳制造工艺，具有最高的质量和可靠性，同时提供最低的整体制造系统成本。
卫星通信、A&D、5G
ICP2840-1-110I： 27.5-31 GHz 9 W GaN PA MMIC
ICP2840 是一款平衡 Ka 波段 MMIC 功率放大器，在 CW 工作模式下可达到 39 dBm 的饱和输出功率。ICP2840 采用氮化镓碳化硅技术制造，工作频率为 27.5 至 31 GHz，PAE 为 28%，小信号增益为 24 dB。
通信系统和雷达
ICP1639-1-110I：14.5-17.5 GHz 射频功率放大器
ICP1639-DIE 是一款工作频率为 14.5-17.5 GHz 的三级砷化镓功率放大器 MMIC。功率放大器的脉冲饱和输出功率为 39 dBm，增益为 20 dB。
