MACOM 的 CMPA901A035F 是基于氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)，采用碳化硅 (SiC) 衬底。该半导体可在 9 至 11 千兆赫的瞬时带宽范围内提供 35 瓦的功率。GaN HEMT MMIC 采用热增强型 10 引线 25 mm x 9.9 mm 金属/陶瓷凸缘封装。它采用 50 欧姆的小尺寸封装，具有高增益和卓越的效率。
- 特点
- 9.0 - 11.0 千兆赫工作频率
- 典型输出功率 40 W
- 典型功率增益 23 dB
- 典型 PAE 35
- 工作电压高达 28 V
- 应用
- 军用雷达
- 船用雷达
- 天气雷达
- 医疗应用
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2026年6月25日
