2.4 GHz SOI 物联网前端模块 来自 pSemi
PE562212 的超紧凑设计节省了 PCB 空间，50 欧姆 I/O 接口无需外部匹配，更易于电路板布线。FEM 还具有出色的 ESD 和坚固性，可满足所有预期应用和物联网领域固有的环境条件。其设计易于使用并具有最大的灵活性。
主要功能
它采用 pSemi 的 UltraCMOS® 工艺制造，这是一种获得专利的先进硅绝缘体 (SOI) 技术。
- 集成功率放大器，输出功率高达 +21 dBm
- 数字增益控制，范围 15 dB，步进 1 dB
- 集成式 LNA（1.6 dB NF，典型值），带低损耗旁通路径（0.6 dB，典型值）
- 蓝牙 BDR（+21 dBm）和 EDR（+15 dBm）操作
- 中低吞吐量 Wi-Fi (MCS7) 功能
- 所需外部元件最少（VCC 和 VDD 上的旁路电容）
- 封装 - 超紧凑型 14 引线 1.8 × 1.8 × 0.63 毫米 LGA (MSL3)
应用
它的设计同时考虑到了效率和线性度，因为它可以支持 Wi-Fi 等更高数据速率的应用，在足够的线性功率和功率效率之间取得微妙的平衡。
- 智能扬声器
- 智能照明
- 智能恒温器
- 家用电器
- 物联网设备
- 范围扩展器
- 无线音频
- 可穿戴设备
- 传感器
规格
描述 | 2.4 GHz SOI 物联网 FEM | 最小频率 | 2400 兆赫 |
|---|---|
最大频率 | 2483.5 兆赫 |
P1dB/P0.1dB (dBm) | 21.0 / - |
Attn 范围 (dB) | 0-15 |
音阶（分贝） | 1 |
发送增益（分贝） | 23 |
接收器增益（分贝） | 14.5 |
VDD 范围 (V) | 3.0-3.6 |
包装（毫米） | 1.8×1.8×0.63 |
工作频率（千兆赫） | 2.4 |
发送增益控制（分贝） | 15 |
发送增益阶跃（分贝） | 1 |
Rx NF (dB) | 1.6 |
旁路损耗（分贝） | -0.6 |
电源电压 (V) | 3.0-3.6 |
PSAT (dBm) | 24 |
包装 | 14L LGA |
功能图
PE562212 采用 14 引线 1.8 × 1.8 × 0.63 mm LGA 封装 (MSL3)，是一款专为空间受限应用而设计的物联网 FEM，为物联网设备制造商提供了卓越的灵活性和价值。
