pSemi 提供一整套工具和技术专长支持，以简化毫米波设计和开发。
袩褉芯胁芯写褋褌胁械薪薪褘械 PE188200A-Z波束形成器集成电路（n257 波段）和 PE128300A-Z波束形成器集成电路（n257 波段）和 PE128300A-Z 上下变频器集成电路（n257、n258 波段）为 5G FR2 系统设计人员提供了广泛的功能和优势。
每个通道占用空间最小
单片集成的射频 SOI 集成电路具有业界最小的外形尺寸，无需额外布线即可轻松构建大型阵列。
中频到射频全覆盖
上行-下行转换器最多可与四个 pSemi 波束成形器配对使用，以支持大规模 MIMO、混合波束成形和其他有源天线配置。
应用
PE188200A-Z - 8 通道波束成形前端，26.5-29.5 GHz
袩褉芯胁芯写褋褌胁械薪薪褘械 PE188200A-Z是一款面向 5G 应用的 8 通道波束成形前端。它由两个独立可控的射频链组成，每个射频链有四个通道，支持四个双极性天线或八个单极性天线。
特点
- 覆盖 n257 频段
- 集成功率放大器和低噪声放大器
- 支持四根双极性天线
- 射频端口阻抗为 50Ω
- 6 位相位和 6 位衰减控制
- 高线性度：18.5 dBm 输出 P1dB
- 噪声系数低：3.3 分贝
- 3.15V 和 1.8V 双电源电压
- 支持 CP-OFDM 64 QAM 的高线性 POUT
- 快速光束切换
- 可容纳 512 个光束的片上存储器
- 通过 SPI 对所有路径进行独立控制
PE128300A-Z - 双通道升/降频转换器，24.25-29.50 GHz
撠 PE128300是专为 5G FR2 n257、n258 和 n261 频段设计的双通道 TDD 升/降频转换器。
特点
- 支持 n257、n258 和 n261 频段
- 与 PE188100 和 PE188200 兼容
8 通道波束成形前端 - Fast TDD switching in < 400 ns
- 独立的 V 和 H 通道使用一个 X4 LO 倍增器
- 具有 I/Q 平衡调整功能的图像剔除上下转换器
- 中频、LO I/Q 相位和中频振幅调整
- 发送 OP1dB = +14 dBm，RX IIP3 = +7 dBm，RX NF = 6.0 dB
- 通过 SPI 接口的 8 位模式指令，最多可选择 16 种预存模式
