HiQ 电容器

电容器是所有电子电路中使用的基本元件。特种射频电路工作频率极高,对电容器有独特的要求。在此类电路中,工厂质量或 "Q 值 "至关重要,而具有低 ESR 和高自谐振频率的 Hi-Q 电容器通常用于阻抗匹配、滤波和直流阻断。睿查森电子提供各种用于射频应用的 Hi-Q 电容器,包括多层陶瓷、瓷、多层有机、薄膜陶瓷和 CMOS。

MACOM KV CAPS™ 硅电容器是一种高密度、高工作电压的硅电容器,它采用了一种新颖的拓扑结构,可将电容器的平行板折叠成三维结构,与简单的平行板电容器相比,每单位芯片面积可产生更大的电容。

京瓷 AVX 的新型超宽带电容器采用最优质的材料制造,可提供从 7KHz 到 110GHz 的可靠、可重复的超宽带性能。

它具有超低插入损耗、平坦的频率响应和出色的回波损耗,非常适合需要超宽带性能的直流阻塞、耦合、旁路和反馈应用。

美国技术陶瓷公司(ATC)

这款超宽带电容器具有可靠、可重复的性能,频率范围为 16 KHz-40 GHz,插入损耗超低,频率响应平坦。

  • EIA 0402 箱子尺寸
  • 电容:100 nF
  • Insertion Loss: <0.6 dB typ.
  • 出色的回波损耗

美国技术陶瓷公司(ATC)

这种多层宽带(160 KHz 至 16 GHz)电容器在多个倍频程的频谱范围内具有低插入损耗的性能。

  • 取放自动化
  • EIA 0402 箱子尺寸
  • 插入损耗:最大 1 dB
  • 低损耗 X7R 介电材料

美国技术陶瓷公司(ATC)

这种多层宽带(16 KHz 至 18 GHz)电容器可在多个倍频程频谱上提供低插入损耗性能。

  • 取放自动化
  • EIA 0402 箱子尺寸
  • 插入损耗:1 dB typ.
  • 低损耗 X7R 介电材料

京瓷 AVX

这款超宽带电容器具有超低插入损耗和平坦频率响应,可在 16 KHz-70 GHz 范围内提供可靠、可重复的性能。

  • 0402 箱子尺寸
  • 电容:100 nF
  • Insertion loss: <0.5 dB typ.
  • 出色的回波损耗

美国技术陶瓷公司(ATC)

这种多层宽带(16 KHz 至 20 GHz)电容器可在多个倍频程的频谱范围内提供低插入损耗性能。

  • 取放自动化
  • EIA 0201 箱子尺寸
  • 插入损耗:0.4 dB typ.
  • 低损耗 X5R 介电材料

特色制造商 HiQ 电容器

射频与微波支持

让我们有机会对您的项目进行评估,帮助您更快地将愿景推向市场。

关于我们的专家团队

睿查森电子拥有一支由 50 多名技术人员组成的团队,可就各种主题提供设计协助。 尽管数量众多,难以一一列举,但我们还是突出强调了一些特定主题,以体现我们的支持。