与传统的硅（Si）功率 MOSFET 相比，Microchip Technology 的碳化硅（SiC）MOSFET 具有更出色的动态和热性能。

SAM R34 Xplained Pro 是一个硬件平台，用于评估 SAM R34 系列 LoRa® 器件。

硅基氮化镓 MMIC 功率放大器有望应对 Ka 波段卫星通信和毫米波 5G 网络带来的日益严峻的挑战。

适用于焊接、UPS、电动汽车电机和牵引驱动器的 1200V、805A 低电感 SiC 模块

碳化硅现货：采用 TO-247-4 封装的 1700V、750mΩ MOSFET 具有卓越的雪崩坚固性，可提供样品

本应用说明提供了正确选择 Microchip SiC MOSFET 产品栅极源极电压的设计指导，以及相关的器件性能和行为。

SiC 现货：700V、90 mΩ SiC MOSFET，采用 TO-247 封装，适用于工业电机驱动器等产品

SiC 现货：700V、15mΩ SiC MOSFET，采用 TO-247-4 封装，具有卓越的雪崩坚固性

MSC040SMA120B4 器件是一款 1200 V、40 mOhm SiC MOSFET，采用 TO-247 4 引线封装，具有源极检测功能。

现货碳化硅：1700V/353A 相脚碳化硅模块