MSC035SMA070B4 器件是一款 700 V、35 mOhm SiC MOSFET，采用 TO-247 引线封装，具有源极检测功能。

ATSAMR30M18A 是世界上最紧凑的 802.15.4 Sub-GHz 物联网模块。

Microchip 面向 5G、雷达和卫星通信的 27.5-31 GHz、9 W GaN PA MMIC

与硅 MOSFET 和硅 IGBT 解决方案相比，Microchip 的碳化硅 (SiC) 功率 MOSFET 产品线提高了性能。

ATSAMR21G18-MR210UA 是一款 19 x 20 毫米的无线模块，采用焊接安装方式。

Microchip 的 Jason Chiang 评论了针对电动汽车充电应用的 30 千瓦逆变器参考设计，该逆变器基于碳化硅半导体。

与硅 MOSFET 和硅 IGBT 解决方案相比，Microchip 的碳化硅 (SiC) 功率 MOSFET 产品线提高了性能，同时降低了高压应用的总拥有成本。

各种类型的电动汽车（EV），包括电动公交车和其他交通动力系统对功率和电压的要求很高，这就需要碳化硅（SiC）技术具有更高的效率。

下载 Microchip 最新发布的 56 页宣传册，其中重点介绍了其广泛提供的硅和碳化硅高压功率分立器件和模块，以及若干相关的数字栅极驱动器。

MSCSM120AM042CD3AG 是一款相脚为 1200 V/495 A 的碳化硅电源模块。